产品特性：
- 是业界首个配备集成式快速体二极管的超结MOSFET解决方案
- 具备更低的单位面积通态电阻和易于控制的开关行为
- 可满足最高汽车质量认证标准AEC-Q101
- 具快速开关超结MOSFET的所有优点
适用范围：
- 适用于混合动力汽车和纯电动汽车的电池充电
近日，英飞凌科技（IFNNY）推出全新650V CoolMOS™ CFDA，壮大其车用功率半导体产品阵容。这是业界首个配备集成式快速体二极管的超结MOSFET解决方案，可满足最高汽车质量认证标准AEC-Q101。650V CoolMOS™ CFDA尤其适用于混合动力汽车和纯电动汽车的电池充电、直流/直流转换器和HID（高强度放电）照明等谐振拓扑。
英飞凌推出的这种全新解决方案兼具快速开关超结MOSFET的所有优点：更高的轻载效率、更低的栅极电荷、更低的开关损耗、更易使用以及出类拔萃的可靠性等。英飞凌全新推出的650V CoolMOS™ CFDA，是一种卓越的解决方案，可满足汽车应用对于更高能效的要求，它具备更低的单位面积通态电阻和易于控制的开关行为，以及业界首屈一指的体二极管耐用性。体二极管重复换向时更低的Qrr 和 Qoss 值可降低开关损耗和缩短开关延迟时间。
英飞凌科技高压功率转换产品部负责人Jan-Willem Reynaerts指出：“英飞凌依托于革命性的CoolMOS™ 工艺，在能源效率和功率密度方面独占鳌头。650V Cool-MOS™ CFDA进一步壮大了CoolMOS™ CFD产品家族的阵容，树立了快速发展的电气化汽车的性能新标杆。”
快速电流与电压瞬变以及更软换向行为的良好可控性，有助于降低EMI（电磁干扰），使这种新产品系列相对竞争产品具备明显优势。硬换向时，体二极管上有限的电压过冲使电路设计与PCB设计更为轻松。CoolMOS™ CFDA具备650V击穿电压，这意味着相对于600V击穿电压具备更高的安全裕度。
供货与定价
IPW65R150CFDA（650V、150毫欧通态电阻、TO247封装）的样片现已开始供货，单价为1.85欧元（订购量达到1万枚）。
