【导读】2021年开局至今，整个存储行业可以用“凶猛”来形容，涨价凶猛、缺货凶猛。受供应链情况日益紧张、晶圆及封装资源紧缺且费用大幅上涨、投产周期延长等因素影响，导致产品成本大幅上升，不少芯片企业纷纷发出涨价通告。
2021年开局至今，整个存储行业可以用“凶猛”来形容，涨价凶猛、缺货凶猛。受供应链情况日益紧张、晶圆及封装资源紧缺且费用大幅上涨、投产周期延长等因素影响，导致产品成本大幅上升，不少芯片企业纷纷发出涨价通告。
目前，存储行业的高景气度现象持续爆发，产业普遍出现超额下单情况，甚至竞标得晶圆产能等。未来，存储市场走势如何，持续多久，让我们静观其变。
话不多说，先来一览存储大厂最新市场动向。
：三星在2021年仍保持相当积极的产能扩张计划，而西安的晶圆二厂便是其中重点。三星转移到128L的过程有些延迟，但在2021年的主力仍是92L堆栈工艺。
：KIOXIA和Western Digital宣布，已经共同开发了第六代162层3D闪存技术。96L BiCS4的堆迭工艺将成为Western Digital今年制造NAND Flash的主要技术。
：SK海力士也持续积极提高NAND Flash堆栈的层数。2021年起也有望开始量产176L的产品。
：目前镁光主要的堆栈制程仍为96L，2021上半年将加速转移到176L；因此美光也将128L制程视为是临时过渡期技术。
：目前KIOXIA大部分的NAND Flash产品仍采用96L BiCS4的制程生产。展望未来，KIOXIA计划今年要提高112L BiCS5产品的出货量。
：Intel计划直接从64L制程升级到144L。此外，即使Intel仍在开发TLC产品，其产品组合也会倾向于QLC架构。
闪存2020-2021年供给/满足率
满足率: 供给至Q2底仍将不足
库存: 低于正常水位
价格趋势: 256Gb TLC合约价至2021年底将维持上涨态势
控制器与被动组件: 2021整年将持续短缺，台积电删减了更多给控制器厂商的晶圆供应
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依应用分析全球NAND Flash需求比重
依应用分析2021 Q2 NAND Flash需求比重，前三名为:
Top 1：手持式装置
Top 2：PC用SSD
Top 3：企业级SSD
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2020-2021年DDR4价格趋势
内存满足率: 供不应求
库存: 紧张
价格趋势: 持续上涨
由于DRAM IC供不应求，价格自2021年Q1就开始上涨，且将持续到2021年底。
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关于工业级5G应用
与4G相比，5G技术拥有超高传输速度与超低延迟的优势，可加速各项物联网应用的发展，包括5G基础建设（基站）、边缘计算、云服务、AI人工智能（深度学习）、智慧工厂、车载应用、医疗照护等领域。
为满足不同5G装置的存储与运算需求，威刚提供一系列规格完整的工业级Flash存储产品（SSD、DOM、记忆卡、嵌入式存储卡），以及DDR4内存。
除了性能优异，还支持多项技术，如威刚独家开发的A+SLC技术、PLP（断电保护）、抗硫化、耐宽温（-40ºC至85ºC），确保产品耐用性及传输稳定性。
此外，威刚还有专业的软件与固件研发团队，能根据客户需求进行定制化服务，量身打造理想的解决方案。
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5G应用 – 闪存解决方案推荐
闪存重点技术
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威刚闪存解决方案
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5G应用 – 内存解决方案推荐
内存重点技术
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