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测试测量

东京农工大学开发出单层碳纳米管与钛酸锂复合而成的锂离子电容器

东京农工大学研究生院于2009年3月宣布，开发出了采用碳纳米纤维（CNF）与LTO复合而成的负极的锂离子电容器，与以往的采用活性炭的双电层电容器相比，实现了约3倍的能量密度。而且还表示，将完善由日本Chemi-Con定于2011年春季样品供货采用该技术的锂离子电容器的体制。

2010-04-19

东京大学单层碳纳米管钛酸锂锂离子电容器

IR上市导通电阻仅0.95mΩ的25V耐压功率MOSFET

据称，该功率MOSFET的导通电阻与全部栅极电荷量的乘积FOM（figure of merit，优值）为“业界最高”。全部栅极电荷量为标准50nC。最大栅源间电压为±20V，最大漏电流为37A。批量购买1万个时的单价为1.50美元。

2010-04-19

IR 导通电阻耐压功率MOSFET

节能技术研讨会闭幕低碳经济催热新型节能技术

2010-04-16

节能技术研讨会闭幕低碳经济催热新型节能技术

新一代低VCEsat双极晶体管

近年来，中功率双极晶体管在饱和电阻和功率范围上的重大突破，极大地拓宽了此类器件的应用领域。恩智浦最新推出的SMD封装中功率晶体管(BISS 4)再次显现出双极晶体管的技术优势，在为开关应用带来了开关损耗更小，效率更高的同时，也赢得了更多的市场空间。

2010-04-16

双极晶体管 SMD BISS 4

亚洲表面贴装盛会下周上海举行
有力推动我国电子生产行业制造水平

亚洲表面贴装盛会下周上海举行

2010-04-16

亚洲表面贴装盛会下周上海举行

全球半导体设备资本支出衰退潮有望扭转

国际研究暨顾问机构Gartner发布最终统计结果，2009年全球半导体设备资本设备支出为166亿美元，较2008年衰退45.8%。在主要设备部门中，受到削减资本支出的冲击，晶圆厂设备支出大幅下滑47%，后端设备(BEE)支出亦减少40%。

2010-04-16

半导体设备资本支出衰退潮扭转

多晶硅产业将在2011年面临大幅震荡

多晶硅产业将在2011年面临大幅震荡。此结论来源于Bernreuter信息研究公司（以下简称Bernreuter研究）今日发布的最新研究报告《太阳能多晶硅的生产状况》。多晶硅被视为半导体和光伏产业的供给原料，但在该市场于2009年转至供过于求的状态之前，多晶硅一直处于短缺。

2010-04-16

多晶硅面临大幅震荡 Bernreuter

供货商节制扩产被动组件全年缺货

被动组件自去年第四季起供应吃紧，厂商即使纷纷拉高产能利用率至满水位，还是跟不上客户拉货的脚步，库存逐步见底，国巨的成品库存天数由上季的23天，到第一季一口气掉到14天，为历史最低库存量。

2010-04-16

供货商节制扩产被动组件缺货

注重用户界面的iPad改变了电子设计领域的游戏规则

据iSuppli公司的拆机分析结果，苹果公司的iPad把40%以上的材料成本(BOM)都用在了显示器、触摸屏和其它用户界面部件上面。与传统产品的电子设计相比，iPad可谓离经叛道。

2010-04-16

苹果 iPad 显示器触摸屏电池电子设计

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