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多晶硅锭制造技术
用于制造太阳能硅片的多晶硅锭的生长是一个相当复杂的工艺。硅锭生长工艺的目标在于优化硅锭合格率.因此生长工艺需要进行严格监控,并需对定向凝固炉在结晶工艺期间的无数种变量加以有效控制。本文简述多晶硅锭的制造技术
2010-06-23
多晶硅锭 凝固工艺 线切割 凝固炉
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新材料对测量技术的挑战
在谈及芯片技术进步时,除了不断缩小的技术节点,新材料的采用往往可以另辟蹊径。目前谈论较多的是高k介质、金属栅、低k材料等,其它一些较为冷门的材料,如碳纳米管、石墨稀、二嵌段共聚物等也开始进入人们的视野。越是新兴的物质越难以捉摸和测量,这就要求测量技术能够“与时俱进”。本文对新材料...
2010-06-23
新材料 测量技术 3D集成 硅通孔技术
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半导体制造晶圆检测技术分析
半导体制造业广泛采用了晶圆自动检测方法在制造过程中检测缺陷,以缓解工况偏差和减低总缺陷密度。本文介绍晶圆检测方法进展,有效方式识别与良率相关的缺陷。
2010-06-22
晶圆检测 缺陷检测 在线晶圆检测
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通孔刻蚀工艺的检测技术研究
随着半导体制造技术推进到更加先进的深亚微米技术,半导体金属布线的层数越来越多,相应的通孔刻蚀工艺也越多,并且伴随着通孔的尺寸随着器件设计尺寸逐步缩小。以DRAM制造为例,存储量由4M发展到512M时,设计规则由1μm缩小到0.16μm,其中通孔的尺寸也从0.8μm下降到了0.25μm。通孔尺寸越小,刻蚀的...
2010-06-22
通孔刻蚀工艺 检测技术 晶体管
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射频封装系统
在RF系统中,各类元件采用不同的技术制作而成,例如BBIC采用CMOS技术、收发机采用SiGe和BiCMOS技术、RF开关采用GaAs技术等。系统芯片(SOC)的优势是把所有功能整合在同一块芯片上,但却受到各种IC技术的限制,因此不能有效利用上述各项技术的优势。系统级封装(SiP)可以对各种不同技术的不同电、热和...
2010-06-22
射频 封装系统 ASIC BBIC
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原子层淀积技术
ALD技术的独特性决定了其在半导体工业中的运用前景十分广泛。器件尺寸的缩小导致的介质薄膜厚度的减小已超出了其物理和电学极限,同时高纵宽比在器件结构中随处可见。由于传统的淀积技术很难满足需求,ALD技术已充分显示了其优势,为器件尺寸的继续微缩提供了更加广阔的空间。本文介绍原子层淀积技...
2010-06-22
原子层淀积 ALD MOCVD PVD
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产业巨人的投资使得德国太阳能产业在全球居于领先地位
来自全球太阳能产业巨人的投资使得德国光伏产业实现稳步增长,在2009年其3.8 GW 的总装机容量或者一半新的装机容量,使其在这一领域居于世界领先地位。
2010-06-22
太阳能 光伏 薄膜 电池
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Microchip扩展mTouch电容式触摸传感技术能力
Microchip Technology Inc.(美国微芯科技公司)宣布,推出业界第一个也是唯一的一项可以以金属为前面板的电容式触摸传感技术。
2010-06-22
Microchip mTouch 电容式触摸传感
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Vishay推出具有超短传播延迟的新款高速模拟光耦
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出两款采用标准SOP-5封装的高速模拟光耦 --- VOM452T和VOM453T。
2010-06-22
Vishay 超短传播延迟 模拟光耦
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