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安防监控

IMEC乐观展望2010全球半导体产业

半导体业在摩尔定律推动下进步，如今又呈现一个More than Moore，超越摩尔定律(或称后摩尔定律)，究竟两者有何不同以及如何来理解，发表一些浅见供业界参考。

2009-12-25

半导体摩尔定律 CMOS 3D 2D scaling

英飞凌TPM安全芯片率先通过全球TCG和通用准则认证及英国政府的审批

TCG总裁兼主席Scott Rotondo指出：“为了鼓励采用合规和安全的产品， TCG近期推出了‘TPM认证计划’。该计划旨在对各种产品进行合规和安全评估，确定成功满足所有认证要求的产品。英飞凌是全球首个成功通过TPM认证的半导体供应商，进一步巩固了它在硬件安全领域的领先地位。”

2009-12-25

英飞凌 TPM 安全芯片全球TCG 通用准则认证

功率半导体：强化设计能力寻求中高端突破

功率半导体包括功率二极管、功率开关器件与功率集成电路。近年来，随着功率MOS(金属氧化物半导体)技术的迅速发展，功率半导体的应用范围已从传统的工业控制领域扩展到4C领域(计算机、通信、消费类电子产品和汽车电子)，渗透到国民经济与国防建设的各个方面。我国拥有国际上最大的功率半导体市场，拥...

2009-12-25

功率器件开关功率二极管高端

GP2AP012A00F:夏普开发出集成有可检测0.1lx低照度的照度传感器

夏普将上市集成了照度传感器的新款近接传感器“GP2AP012A00F”。主要特点是可检测0.1lx的低照度，外形尺寸仅为4.4mm×2.6mm×1.0mm。该公司此前产品可检测的照度为3lx，外形尺寸为5.6mm×2.1mm×1.2mm。

2009-12-25

夏普集成低照度照度传感器

无源、有源隔离器和配电隔离器的区别和应用

本文主要讲无源、有源隔离器和配电隔离器的区别和应用

2009-12-25

有源隔离器配电隔离器 P-0113

传感器仪表元器件发展分析

传感器和仪表元器件是仪器仪表与自动化系统最基础元器件之一。传感器和仪表元器件具有服务面广、品种繁多、需求量大等特点，其技术水平和产品质量的提高，将为我国制造业信息化奠定基础。

2009-12-24

传感器仪表元器件 MEMS

2009年岁末电子产业数据回顾与2010年展望

2008年下半年，国际金融风暴席卷全球，以出口为主导的中国大陆电子信息产业直接受到冲击，产品进出口受阻，导致产品产量不断下降，到今年元月份下降到谷底。由于中国政府及时实行积极的财政政策，调整产品结构，努力扩大内需，电子信息产业从2月份开始逐渐回升。虽然在个别月份有所波动，但回升趋势...

2009-12-24

电子产业数据回顾展望

Toshiba-components推出低导通电阻快速转换的30V MOSFET

新产品包括5个N沟道MOSFET和1个MOSBD，MOSBD的单芯片组合了MOSFET和肖特基阻挡二极管，提供了低电感结构，因此提高了能源效率。该产品提供了一系列的特性，使设计人员能够满足不同的系统要求。额定电流范围为13A~26A，RDS(ON) (典型值)为4.3~12.2毫欧(mΩ)，输入电容从999~2200微微法（pF）（典型值...

2009-12-24

东芝低导通电阻快速转换 MOSFET

Gartner：全球半导体设备将增长45%

据国外媒体报道，Gartner研究副总Dean Freeman指出，晶圆代工支出与少数内存厂商的选择性支出，带动了2009下半年半导体设备市场的增长，2010年的增长主要将由上半年技术升级的带动，2010年第3季单季增长率在产能增加前将微幅下滑，整体资本设备产业预期自2010年底起将一路大幅增长至2011年。

2009-12-24

Gartner 全球半导体增长

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