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安防监控

功率半导体：强化设计能力寻求中高端突破

功率半导体包括功率二极管、功率开关器件与功率集成电路。近年来，随着功率MOS(金属氧化物半导体)技术的迅速发展，功率半导体的应用范围已从传统的工业控制领域扩展到4C领域(计算机、通信、消费类电子产品和汽车电子)，渗透到国民经济与国防建设的各个方面。我国拥有国际上最大的功率半导体市场，拥...

2009-12-25

功率器件开关功率二极管高端

GP2AP012A00F:夏普开发出集成有可检测0.1lx低照度的照度传感器

夏普将上市集成了照度传感器的新款近接传感器“GP2AP012A00F”。主要特点是可检测0.1lx的低照度，外形尺寸仅为4.4mm×2.6mm×1.0mm。该公司此前产品可检测的照度为3lx，外形尺寸为5.6mm×2.1mm×1.2mm。

2009-12-25

夏普集成低照度照度传感器

无源、有源隔离器和配电隔离器的区别和应用

本文主要讲无源、有源隔离器和配电隔离器的区别和应用

2009-12-25

有源隔离器配电隔离器 P-0113

传感器仪表元器件发展分析

传感器和仪表元器件是仪器仪表与自动化系统最基础元器件之一。传感器和仪表元器件具有服务面广、品种繁多、需求量大等特点，其技术水平和产品质量的提高，将为我国制造业信息化奠定基础。

2009-12-24

传感器仪表元器件 MEMS

2009年岁末电子产业数据回顾与2010年展望

2008年下半年，国际金融风暴席卷全球，以出口为主导的中国大陆电子信息产业直接受到冲击，产品进出口受阻，导致产品产量不断下降，到今年元月份下降到谷底。由于中国政府及时实行积极的财政政策，调整产品结构，努力扩大内需，电子信息产业从2月份开始逐渐回升。虽然在个别月份有所波动，但回升趋势...

2009-12-24

电子产业数据回顾展望

Toshiba-components推出低导通电阻快速转换的30V MOSFET

新产品包括5个N沟道MOSFET和1个MOSBD，MOSBD的单芯片组合了MOSFET和肖特基阻挡二极管，提供了低电感结构，因此提高了能源效率。该产品提供了一系列的特性，使设计人员能够满足不同的系统要求。额定电流范围为13A~26A，RDS(ON) (典型值)为4.3~12.2毫欧(mΩ)，输入电容从999~2200微微法（pF）（典型值...

2009-12-24

东芝低导通电阻快速转换 MOSFET

Gartner：全球半导体设备将增长45%

据国外媒体报道，Gartner研究副总Dean Freeman指出，晶圆代工支出与少数内存厂商的选择性支出，带动了2009下半年半导体设备市场的增长，2010年的增长主要将由上半年技术升级的带动，2010年第3季单季增长率在产能增加前将微幅下滑，整体资本设备产业预期自2010年底起将一路大幅增长至2011年。

2009-12-24

Gartner 全球半导体增长

美国科学家研发出一种新型光纤传感器

美国科学家研发出一种可以在极端条件下使用的新型光学压力传感器。这种光纤传感器不但可以测量高达1800万帕(2620磅/平方英寸)的压力，将感测头放进-196°C的液态氮中或者加热到538°C，性能也不会有明显改变

2009-12-24

美国科学家新型光纤传感器

Vishay推出适用于线焊组装的新PSC系列RF螺旋电感器

螺旋电感具有1nH~100nH的宽感值范围，采用0.045英寸x0.045英寸x0.010英寸的小尺寸外形。PSC器件同时具有低寄生电容、低至0.26Ω的DCR、高达10.2GHz的SRF，在250MHz和1000MHz下的Q值分别为13和18。

2009-12-23

Vishay 线焊组装 PSC RF 螺旋电感器

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