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大功率宽带射频脉冲功率放大器设计
利用MOS场效应管(MOSFET)，采取AB类推挽式功率放大方式，采用传输线变压器宽带匹配技术，设计出一种宽频带高功率射频脉冲功率放大器模块，其输出脉冲功率达1200W，工作频段0.6M~10MHz。调试及实用结果表明，该放大器工作稳定，性能可靠。
2008-10-13
MOS场效应管 AB类功率放大 推挽 传输线变压器 宽频带
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超高频无源RFID标签的一些关键电路的设计
本文针对超高频无源RFID 标签芯片的设计，给出了一些关键电路的设计考虑。文章介绍了四种电源恢复电路结构，以及倍压电路的解决方案，提出了串联型和并联型两种稳压电路。文章提出了新的泄流源的设计，介绍了启动信号产生电路的设计考虑。
2008-10-13
RFID 标签 恢复 稳压 调制 解调
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W波段雪崩管窄脉冲调制器的研究
脉冲调制器是脉冲体制发射机中重要的组成部分。设计了一种体积小、脉冲驱动电流大的窄脉冲调制器，可用于驱动W波段主被动复合探测器中的雪崩二极管振荡器，对脉冲体制的毫米波雷达等的发射机也有重要应用意义。实验结果表明，该调制器是可行的。
2008-10-13
雪崩二极管 脉冲调制器 电路设计
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电子式电能表绝缘性能对EMC抗扰度试验的影响与改进
本文讨论电子式电能表的绝缘性能对EMC抗扰度试验的影响及改进措施。通过增大间隙或爬电距离能使电能表的绝缘性能符合要求，从而能够通过EMC抗扰度试验，而增加的成本最低。优化后的试验流程为优先通过6kV的脉冲电压试验，然后进行各项EMC抗扰度试验，可以达到事半功倍的效果。
2008-10-12
电子式电能表 绝缘性能 EMC 爬电距离
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电力电子中的传导性ＥＭＩ噪声源测量与分析
电力电子设备由于电磁兼容性能差而影响了其广泛应用，因此提高EMC性能，降低电磁干扰就显得十分重要，而其中EMI传导噪声滤波是有效方法之一，特别是EMI噪声源的测定与分析是设计EMI滤波器的前提条件，本文详细分析了电力电子设备中传导电磁干扰噪声产生的机理，然后分析讨论了几种主要EMI噪声源建模...
2008-10-12
ＥＭＩ 电力电子 噪声
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电磁兼容EMC中的屏蔽技术分析
电磁场的屏蔽可分为静电屏蔽、静磁屏蔽和电磁屏蔽三种情况。本文描述了静电屏蔽、静磁屏蔽、电磁屏蔽的物理内容、物理条件、屏蔽作用等以及它们之间的联系。
2008-10-12
静电 屏蔽 静磁 电磁
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RF功率MOSFET产品及其工艺开发
本文通过分析RF功率 LDMOSFET的性能和结构特征，设计出RF 功率 LDMOSFET器件结构，通过工艺和器件模拟确定了关键参数，并设计了一套符合6寸芯片生产线的制造工艺流程，对工艺中的难点提出了解决方案。
2008-10-12
RF MOSFET 性能 工艺
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运放式射频放大器
本文详细介绍了放大器的基本拓扑和参数，如果价格可以接受的话，运放，特别是CFB运放非常适合射频设计。
2008-10-12
运放 射频 CFB
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电流型热电偶温度变送器的设计
在化工、石油、电力、冶炼等行业的自动化控制系统中热电偶发挥着对温度的监控作用。本文主要开发设计出一套具有较高精度和稳定性的实用性K型热电偶温度变送器。
2008-10-11
热电偶 温度变送器 温度补偿
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