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SL353系列：霍尼韦尔推出微功耗全极数字式霍尔效应传感器集成电路
霍尼韦尔旗下传感与控制部近日宣布推出SL353系列“微功耗全极数字式霍尔效应传感器集成电路”。SL353系列采用BiCMOS IC设计，这是霍尼韦尔的一项新技术，相对双极技术而言，该技术在增添更多性能和功能的同时减小集成电路的尺寸。
2011-04-01
微功耗 全数字 霍尔效应传感器
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展望2011，台湾中小尺寸面板产业之商机与转型
近年来由于大尺寸高世代面板线逐渐量产，又2010年下半年开启新兴产品拉货趋势显著，驱动中小尺寸面板的出货量，加上智能型手机面板的需求量支称，搭配触控面板的生产，加速提高中小面板的高附加价值，预估未来中小尺寸面板产值成长潜力十足..
2011-04-01
中小尺寸 面板 商机 转型
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展望2011，台湾中小尺寸面板产业之商机与转型
近年来由于大尺寸高世代面板线逐渐量产，又2010年下半年开启新兴产品拉货趋势显著，驱动中小尺寸面板的出货量，加上智能型手机面板的需求量支称，搭配触控面板的生产，加速提高中小面板的高附加价值，预估未来中小尺寸面板产值成长潜力十足..
2011-04-01
中小尺寸 面板 商机 转型
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士兰微电子推出F-Cell系列第四代MOSFET产品用于LED 照明
士兰微电子近期推出了新一代高压MOSFET产品——F-Cell系列高压MOSFET。这是士兰微电子自主研发所推出的第四代平面结构高压MOSFET产品，工作电压可以覆盖400V—900V区间，工作电流在1A—18A之间，可以兼容多晶稳压管结构以提高 ESD特性；具有高可靠性，高效率，高EAS能力，导通电阻低，动态参数优等特点...
2011-04-01
士兰微 MOSFET 平面结构高压MOSFET
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SiR640DP/SiR662DP:Vishay Siliconix推出新款N沟道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，发布新款40V和60V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP。两款器件采用SO-8或PowerPAK® SO-8封装，具有业内最低的导通电阻，以及最低的导通电阻与栅极电荷乘积，即优值系数。
2011-04-01
沟道功率 MOSFET 导通电阻
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2011中国城市照明规划设计与LED应用高峰论坛同期举办：2011第七届北京国际LED展览会
2011中国城市照明规划设计与LED应用高峰论坛
2011-03-31
2011中国城市照明规划设计与LED应用高峰论坛
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2011中国城市照明规划设计与LED应用高峰论坛同期举办：2011第七届北京国际LED展览会
2011中国城市照明规划设计与LED应用高峰论坛
2011-03-31
2011中国城市照明规划设计与LED应用高峰论坛
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2011中国城市照明规划设计与LED应用高峰论坛同期举办：2011第七届北京国际LED展览会
2011中国城市照明规划设计与LED应用高峰论坛
2011-03-31
2011中国城市照明规划设计与LED应用高峰论坛
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四大面板厂大陆投资热潮渐冷
面板厂赴大陆投资，似乎有退烧迹象。DisplaySearch表示，继乐金显示器（LGD）延后在大陆设厂，三星也可能暂缓在苏州的7.5代厂计划，友达与奇美电也在评估，寻求优化的投资效益。
2011-03-31
面板 LGD 三星 奇美 友达
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