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Vishay的101/102 PHR-ST螺旋式接线柱功率铝电容器新增三种更大的外形尺寸
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其101/102 PHR-ST螺旋式接线柱功率铝电容器新增了90mm x 146mm、76mm x 220mm及90mm x 220mm三种更大的外形尺寸，接线柱的长度为13mm。
2010-01-27
Vishay 101/102 PHR-ST 电容器 RoHS指令 UPS设备
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推动LED产业发展需加强国产MOCVD设备开发
第十一届全国MOCVD学术会议于2010年1月12日在江苏苏州召开，为期2天，会议上跟许多专家和学者进行了交流，本次MOCVD探讨的主要应用集中在LED，太阳能/激光器方面的应用也不少。国内MOCVD的总体感觉是：关注的人多，做的人少。
2010-01-27
LED MOCVD 设备
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推动LED产业发展需加强国产MOCVD设备开发
第十一届全国MOCVD学术会议于2010年1月12日在江苏苏州召开，为期2天，会议上跟许多专家和学者进行了交流，本次MOCVD探讨的主要应用集中在LED，太阳能/激光器方面的应用也不少。国内MOCVD的总体感觉是：关注的人多，做的人少。
2010-01-27
LED MOCVD 设备
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推动LED产业发展需加强国产MOCVD设备开发
第十一届全国MOCVD学术会议于2010年1月12日在江苏苏州召开，为期2天，会议上跟许多专家和学者进行了交流，本次MOCVD探讨的主要应用集中在LED，太阳能/激光器方面的应用也不少。国内MOCVD的总体感觉是：关注的人多，做的人少。
2010-01-27
LED MOCVD 设备
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采用PowerFill外延硅工艺的电源器件
ASM International推出了其PowerFill的外延硅（Epi Si）沟槽填充工艺。新工艺可使带有掺杂物的外延硅深沟无缝隙填充。 PoweRFill是一个精湛的工艺技术，因为它是同类流程速度的3倍，降低制造成本，创造了为电源设备设计在设计程度上新的级别。
2010-01-27
ASM PowerFill 外延硅工艺 电源器件 Fairchild
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采用PowerFill外延硅工艺的电源器件
ASM International推出了其PowerFill的外延硅（Epi Si）沟槽填充工艺。新工艺可使带有掺杂物的外延硅深沟无缝隙填充。 PoweRFill是一个精湛的工艺技术，因为它是同类流程速度的3倍，降低制造成本，创造了为电源设备设计在设计程度上新的级别。
2010-01-27
ASM PowerFill 外延硅工艺 电源器件 Fairchild
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采用PowerFill外延硅工艺的电源器件
ASM International推出了其PowerFill的外延硅（Epi Si）沟槽填充工艺。新工艺可使带有掺杂物的外延硅深沟无缝隙填充。 PoweRFill是一个精湛的工艺技术，因为它是同类流程速度的3倍，降低制造成本，创造了为电源设备设计在设计程度上新的级别。
2010-01-27
ASM PowerFill 外延硅工艺 电源器件 Fairchild
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2009年电视半导体市场先抑后扬，2010年更强劲
2009年全球电视显示半导体营业收入估计可达87 亿美元，比2008 年时的89 亿美元下降1.6%。相比之下，2009 年全球整体半导体营业收入预计下降12.4%。如按季度看，电视半导体营业收入全年保持大幅增长之势，第四季度升至25 亿美元，比第一季度时的17 亿美元大增45.8%。
2010-01-27
电视半导体 市场 先抑后扬 强劲
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便携式音频产品的实现技术
消费电子市场对具有音频播放和录音功能的便携式产品需求的显著增长。人们希望这些产品具有的特性包括：电池寿命长、体积小、重量轻以及具有高质量的音频性能。本文介绍便携式音频产品的实现技术。
2010-01-27
便携式 音频产品 低功耗
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