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CDMA：在新的机遇与挑战中前进
截至2008年12月，全球CDMA用户总数已达4.65亿， 107个EV-DORel.0商业网络遍布全球；其中EV-DO Rev.A网络达到62个，规模呈现新的发展。然而在中国，一直以来CDMA却处于不温不火的状态
2009-08-21
CDMA 赛迪顾问
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CDMA：在新的机遇与挑战中前进
截至2008年12月，全球CDMA用户总数已达4.65亿， 107个EV-DORel.0商业网络遍布全球；其中EV-DO Rev.A网络达到62个，规模呈现新的发展。然而在中国，一直以来CDMA却处于不温不火的状态
2009-08-21
CDMA 赛迪顾问
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CDMA：在新的机遇与挑战中前进
截至2008年12月，全球CDMA用户总数已达4.65亿， 107个EV-DORel.0商业网络遍布全球；其中EV-DO Rev.A网络达到62个，规模呈现新的发展。然而在中国，一直以来CDMA却处于不温不火的状态
2009-08-21
CDMA 赛迪顾问
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移动通信卡：3G时代的角色变化
伴随改革开放的深入和经济的进一步转型，移动通信技术得到迅猛发展，手机普及率得到迅速提高。2004~2008年，移动电话用户数量每年都保持着17%以上的快速增长，截止到2008年底，移动电话用户数量已经达到6.41亿户，与2004年相比增长了近一倍。
2009-08-21
SIM 3G 中国移动
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移动通信卡：3G时代的角色变化
伴随改革开放的深入和经济的进一步转型，移动通信技术得到迅猛发展，手机普及率得到迅速提高。2004~2008年，移动电话用户数量每年都保持着17%以上的快速增长，截止到2008年底，移动电话用户数量已经达到6.41亿户，与2004年相比增长了近一倍。
2009-08-21
SIM 3G 中国移动
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移动通信卡：3G时代的角色变化
伴随改革开放的深入和经济的进一步转型，移动通信技术得到迅猛发展，手机普及率得到迅速提高。2004~2008年，移动电话用户数量每年都保持着17%以上的快速增长，截止到2008年底，移动电话用户数量已经达到6.41亿户，与2004年相比增长了近一倍。
2009-08-21
SIM 3G 中国移动
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FDZ371PZ：飞兆半导体1mm x 1mm WL-CSP封装20V P沟道MOSFET
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)宣布推出1mm x 1mm WL-CSP封装20V P沟道MOSFET器件FDZ371PZ，该器件设计采用飞兆半导体的专有PowerTrench®工艺 技术，为手机、医疗、便携和消费应用设计人员带来业界最低RDS(ON) 值(-4.5V下为75mΩ) ，能够最大限度地减小传导损耗。
2009-08-21
FDZ371PZ MOSFET 消费电子 Fairchild 飞兆半导体
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FDZ371PZ：飞兆半导体1mm x 1mm WL-CSP封装20V P沟道MOSFET
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)宣布推出1mm x 1mm WL-CSP封装20V P沟道MOSFET器件FDZ371PZ，该器件设计采用飞兆半导体的专有PowerTrench®工艺 技术，为手机、医疗、便携和消费应用设计人员带来业界最低RDS(ON) 值(-4.5V下为75mΩ) ，能够最大限度地减小传导损耗。
2009-08-21
FDZ371PZ MOSFET 消费电子 Fairchild 飞兆半导体
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FDZ371PZ：飞兆半导体1mm x 1mm WL-CSP封装20V P沟道MOSFET
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)宣布推出1mm x 1mm WL-CSP封装20V P沟道MOSFET器件FDZ371PZ，该器件设计采用飞兆半导体的专有PowerTrench®工艺 技术，为手机、医疗、便携和消费应用设计人员带来业界最低RDS(ON) 值(-4.5V下为75mΩ) ，能够最大限度地减小传导损耗。
2009-08-21
FDZ371PZ MOSFET 消费电子 Fairchild 飞兆半导体
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