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国产锂铁电池面世
近日,广州耐时电池科技有限公司发布了国内第一款完全自主研发制造的一次性高能锂铁电池
2009-07-31
国产锂铁电池 锂铁电池 电池
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国产锂铁电池面世
近日,广州耐时电池科技有限公司发布了国内第一款完全自主研发制造的一次性高能锂铁电池
2009-07-31
国产锂铁电池 锂铁电池 电池
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国产锂铁电池面世
近日,广州耐时电池科技有限公司发布了国内第一款完全自主研发制造的一次性高能锂铁电池
2009-07-31
国产锂铁电池 锂铁电池 电池
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日本白光（Hakko）高效能调温式电焊台FM-202
革命性新设计温度处理闸能自动进行温度校正，只需把焊咀插入处理闸内 ，焊咀便自动回复准确之预设温度。强大回热功能。
2009-07-31
Mueller 电焊台 调温式电焊台 FM-202 日本白光
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日本白光（Hakko）高效能调温式电焊台FM-202
革命性新设计温度处理闸能自动进行温度校正，只需把焊咀插入处理闸内 ，焊咀便自动回复准确之预设温度。强大回热功能。
2009-07-31
Mueller 电焊台 调温式电焊台 FM-202 日本白光
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日本白光（Hakko）高效能调温式电焊台FM-202
革命性新设计温度处理闸能自动进行温度校正，只需把焊咀插入处理闸内 ，焊咀便自动回复准确之预设温度。强大回热功能。
2009-07-31
Mueller 电焊台 调温式电焊台 FM-202 日本白光
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SiR494DP：Vishay新款第三代12V功率MOSFET
日前，Vishay 宣布推出具有业内最低导通电阻的新款N沟道MOSFET器件 --- SiR494DP，将该系列的第三代TrenchFET功率MOSFET的电压降至12V，同时该器件的导通电阻与栅电荷的乘积也是这种额定电压的器件当中最低的。
2009-07-31
SiR494DP Vishay MOSFET 分立器件
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SiR494DP：Vishay新款第三代12V功率MOSFET
日前，Vishay 宣布推出具有业内最低导通电阻的新款N沟道MOSFET器件 --- SiR494DP，将该系列的第三代TrenchFET功率MOSFET的电压降至12V，同时该器件的导通电阻与栅电荷的乘积也是这种额定电压的器件当中最低的。
2009-07-31
SiR494DP Vishay MOSFET 分立器件
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SiR494DP：Vishay新款第三代12V功率MOSFET
日前，Vishay 宣布推出具有业内最低导通电阻的新款N沟道MOSFET器件 --- SiR494DP，将该系列的第三代TrenchFET功率MOSFET的电压降至12V，同时该器件的导通电阻与栅电荷的乘积也是这种额定电压的器件当中最低的。
2009-07-31
SiR494DP Vishay MOSFET 分立器件
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