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TD-LTE终端产品市场尚未完全打开
目前中国TD-LTE终端芯片还处于起步阶段,整体市场行情还未完全打开,未来还有许多潜力可以去发掘。国内外芯片厂商市场参与热情有限,但鉴于中国庞大的潜在市场,众多芯片厂商也积极布局TD-LTE终端芯片市场,加紧研发TD-LTE多模终端芯片技术,择机进入终端芯片市场。
2012-03-29
TD-LTE 终端产品 产业链 产品
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智能化升级带来国有电子设备企业新危机
据国家统计局最新数据,今年1~2月份,国有企业的利润步入下行通道,全国规模以上的工业企业中,计算机、通信和其他电子设备制造业的利润下降了40.8%
2012-03-29
智能手机 山寨手机 国有企业 计算机
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家电行业趋势带来传感器市场新商机
随着人们对节能环保这个概念的重视程度越来越高,在家用电器方面各大厂家也很注重能效的控制,节能风暴早已在市场中展开,因此传感器在其中发挥着举足轻重的作用。在中国家电协会发布的《中国家用电器工业“十二五”发展规划的建议》中,将家电工业节能减排放在突出地位。首先发力的是空调行业,大家...
2012-03-29
变频空调 冰箱 家电 传感器 物联网
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惯性感测器“左右逢源”增长率将达18.6%
随着消费市场对智慧型手机产品需求大幅提升,惯性感测器出货量在2011~2016年的年复合成长率(CAGR)将达18.6%,但产品价格却会持续下降,因此同期间的市场产值CAGR将达16.6%,约28亿美元。愈来愈多业者开始朝整合矽感测器的功能发展,市场生态逐步改变。
2012-03-29
惯性 感测器 加速度计
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浅析MOS管击穿的原因及解决方案
MOS管本身的输入电阻很高,而栅-源极间电容又非常小,所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电,而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压(U=Q/C),将管子损坏。虽然MOS输入端有抗静电的保护措施,但仍需小心对待,在存储和运输中最好用金属容器或者导电材料包装,不要放在易产生静电高压的化...
2012-03-29
MOS管 击穿 原因 解决方案
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浅析MOS管击穿的原因及解决方案
MOS管本身的输入电阻很高,而栅-源极间电容又非常小,所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电,而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压(U=Q/C),将管子损坏。虽然MOS输入端有抗静电的保护措施,但仍需小心对待,在存储和运输中最好用金属容器或者导电材料包装,不要放在易产生静电高压的化...
2012-03-29
MOS管 击穿 原因 解决方案
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降压式DC/DC转换器的MOSFET选择要点
同步整流降压式DC/DC转换器都采用控制器和外接功率MOSFET的结构。控制器生产商会在数据资料中给出参数齐全的应用电路,但用户的使用条件经常与典型应用电路不同,要根据实际情况改变功率MOSFET的参数。
2012-03-29
DC/DC MOSFET 降压式
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解析数字电视及其测量
本文在介绍数字电视基本概念和背景的前提下,介绍了数字电视测试的主要参数和主要仪器,并介绍数字电视测试行业的发展状况。
2012-03-29
数字电视 测量 电视
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650V:飞兆半导体IGBT提高功率转换应用的效率和系统可靠性
太阳能功率逆变器、不间断电源(UPS)以及焊接应用的设计人员面临提高能效,满足散热法规,同时减少元件数目的挑战。有鉴于此,飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)开发了一系列针对光伏逆变器应用的650V IGBT产品,帮助设计人员应对这一行业挑战。
2012-03-29
650V 飞兆半导体 IGBT
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