【导读】 2026 年 10 月 29 日，意法半导体正式发布 MasterGaN7，进一步丰富 MasterGaN 集成氮化镓功率器件产品阵容。这款 9×9mm QFN 封装器件，将两颗 650V、6A GaN 管与高压栅极驱动器做半桥集成，引脚和封装与同系列产品保持兼容，方便工程师直接替换升级。 相比前代产品，MasterGaN7 增加了 LDO 低压差稳压电路，保证栅极驱动电压稳定；同时新增引脚关断与快速唤醒功能，有效压低整机空载功耗。器件传播延迟仅 45ns，最高支持 2MHz 开关频率，外围只需要少量无源器件与小型磁性元件，能够大幅简化 PCB 布局、缩减物料成本。器件自带互锁、欠压锁定、过热保护，适配反激、LLC、PFC 等多种主流电源拓扑，面向充电器、工业照明、太阳能微型逆变器等场景。目前产品已经量产，配套 EVLMG7 评估板同步上线，可快速开展方案验证。
MasterGaN7 将两个 650V GaN 晶体管以半桥方式连接，并与高压高频栅极驱动器集成于 QFN 封装中；其引脚排列和封装尺寸与其他 MasterGaN 器件兼容。凭借最新一代 GaN 技术，MasterGaN7 可实现更快的开关速度和更高的能效；同时新增低压差（LDO）稳压器，以稳定栅极驱动电压，确保出色的开关性能。新器件还支持引脚控制关断模式，并可实现超快速唤醒，帮助设计人员将空载功耗降至更低。
全新 MasterGaN7 器件兼具 45ns 传播延迟、超快速唤醒和极短最小导通时间，开关频率最高可达 2MHz。完成电路设计只需搭配少量小型外部磁性元件和无源元件，有助于缩小电路板占用空间、降低物料清单（BOM）成本并提升功率密度。此外，器件还集成了为高侧驱动器供电的自举二极管。
全系列 MasterGaN 器件支持多种电源拓扑，包括有源钳位反激式转换器、非对称半桥转换器、反相降压转换器、谐振 LLC 转换器、功率因数校正（PFC）转换器以及直流转交流逆变器。器件集成度高，并内置多项保护功能，包括用于防止桥臂直通的互锁保护、欠压锁定（UVLO）和过热关断保护，可帮助缩小系统尺寸、降低物料清单（BOM）成本并简化电路布局。
MasterGaN7 的工作温度范围为 -40°C 至 125°C，现已量产，采用 9mm × 9mm QFN 封装。
EVLMG7 评估板可帮助设计人员快速完成硬件搭建并启动开发，现已在意法半导体 eStore 商城上线。
关于意法半导体
意法半导体拥有49,000名半导体技术的创造者和创新者，掌握半导体供应链和先进的制造设备。作为一家半导体垂直整合制造商（IDM），意法半导体与二十多万家客户、成千上万名合作伙伴一起研发产品和解决方案，共同构建生态系统，帮助他们更好地应对各种挑战和新机遇，满足世界对可持续发展的更高需求。意法半导体的技术让人们的出行更智能，让电源和能源管理更高效，让云连接的自主化设备应用更广泛。我们正按计划在所有直接和间接排放（包括范围1和范围2）、产品运输、商务旅行以及员工通勤排放（重点关注的范围3）方面实现碳中和，并在2027年底前实现100%使用可再生电力的目标。
结论
MasterGaN7 是意法半导体针对中高压高密度电源推出的新一代集成 GaN 方案。LDO 稳压与待机关断两项新功能，补齐了轻载能效短板，更贴合当下快充、光伏逆变设备对低空载功耗的要求。高集成 SiP 方案省去了外置驱动电路，再加上引脚兼容的设计，老项目可以直接完成器件迭代，不用大幅改动硬件布局。 从产品定位来看，MasterGaN7 覆盖 45W~500W 功率区间，兼顾消费类适配器与工业电源市场。配合现成的评估板，能够大幅缩短电源方案的开发周期，帮助整机厂商在提升转换效率的同时，缩小电源体积、控制 BOM 成本，进一步巩固氮化镓方案在高密度开关电源里的应用优势。
