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通信广电

隔离飞电容多电平变换器的硬件设计

为了确保在指定的 40 V 输出上进行安全可靠的测试，选择组件时要考虑各种操作。为了实现更大的电压测试，并展示飞跨电容器多电平转换器 (FCMFC) 如何利用与反激式转换器相同的组件更有效地执行，本研究中未使用飞跨电容器结构带来的较低额定电压。这表明后续几代产品将通过使用额定值较低的半导体...

2024-11-23

飞电容电平变换器硬件设计

【“源”察秋毫系列】多次循环双脉冲测试应用助力功率器件研究及性能评估

随着电力电子技术的飞速发展，功率器件在电动汽车、可再生能源、智能电网等领域的应用日益广泛。这些应用对功率器件的性能和可靠性提出了更高的要求。特别是在电动汽车领域，功率器件需要在高电压、高电流和高温环境下稳定工作，这对器件的耐久性和可靠性是一个巨大的挑战。同时，随着SiC等宽禁带半...

2024-11-23

双脉冲测试应用功率器件

高信噪比MEMS麦克风驱动人工智能交互

在英飞凌，我们一直坚信卓越的音频解决方案对于提升消费类设备的用户体验至关重要。我们坚定不移地致力于创新，在主动降噪、语音透传、录音室录音、音频变焦和其他相关技术方面取得了显著进步，对此我们深感自豪。作为MEMS麦克风的领先供应商，英飞凌集中资源改善MEMS麦克风的音频质量，为TWS和耳罩...

2024-11-23

高信噪比 MEMS麦克风人工智能交互

提高下一代DRAM器件的寄生电容性能

随着传统DRAM器件的持续缩小，较小尺寸下寄生电容的增加可能会对器件性能产生负面影响，未来可能需要新的DRAM结构来降低总电容，并使器件发挥出合格的性能。本研究比较了6F2蜂窝动态随机存取存储器 (DRAM) 器件与4F2垂直通道访问晶体管 (VCAT) DRAM结构的寄生电容。结果表明，与6F2结构相比，4F2结...

2024-11-20

DRAM器件寄生电容

韧性与创新并存，2024 IIC创实技术再获奖分享供应链挑战下的自我成长

11月5日-6日，由全球电子行业知名媒体AspenCore主办的国际集成电路展览会暨研讨会（IIC Shenzhen 2024）在深圳福田会展中心7号馆圆满落幕。作为业界颇具影响力的系统设计峰会，IIC Shenzhen 2024再次为半导体产业搭建了一个专业的交流平台，聚集国内外电子产业领袖、管理人员、设计精英及决策者，聚...

2024-11-19

IIC 创实技术供应链

在更宽带宽应用中使用零漂移放大器的注意事项

零漂移运算放大器使用斩波、自稳零或这两种技术的结合来消除不需要的低频误差源，例如失调和1/f噪声。传统上，此类放大器仅用于低带宽应用中，因为这些技术在较高频率时会产生伪像。只要系统设计时考虑了高频误差，例如纹波、毛刺和交调失真(IMD)等，较宽带宽的解决方案也可以受益于零漂移运算放大...

2024-11-19

零漂移放大器宽带宽应用

第9讲：SiC的加工工艺（1）离子注入

离子注入是SiC器件制造的重要工艺之一。通过离子注入，可以实现对n型区域和p型区域导电性控制。本文简要介绍离子注入工艺及其注意事项。

2024-11-19

SiC 加工工艺离子

在发送信号链设计中使用差分转单端射频放大器的优势

传统的射频 (RF) 发送信号链通常使用数模转换器 (DAC) 来生成基带信号。然后，使用射频混频器和本地振荡器将此信号上变频为所需的射频频率。射频 DAC 技术取得进步，现在允许直接以所需的射频频率生成信号，从而显著简化射频发送信号链的设计和复杂性。

2024-11-19

信号链设计射频放大器

集成开关控制器如何提升系统能效？

近年来，高度依赖在线资源的混合办公模式加速普及，电子系统成为了必不可少的工具，效率的重要性愈发凸显。这要求我们不仅在现场操作期间，更要在生产制造过程中，采取各种措施提升能效。

2024-11-17

开关控制器系统能效

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