产品特点：
- 该器件具有基准通态电阻和高封装电流额定值
- 在4.5V Vgs下实现非常低的RDS(on)
- 电压范围为40V至100V
- 已获得工业级和MSL1潮湿敏感度认证
应用领域：
- 高功率DC电机和电动工具、工业电池及电源应用
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出新系列逻辑电平栅极驱动沟道HEXFET功率MOSFET。该器件具有基准通态电阻 (RDS(on)) 和高封装电流额定值，适用于高功率DC电机和电动工具、工业电池及电源应用。
新系列基准MOSFET采用了IR最新的沟道技术，可在4.5V Vgs下实现非常低的RDS(on) ，显著改善了热效率。此外，这些器件具有更高的电流额定值，多余瞬变可以带来更多防护频带，并可减少由多个MOSFET共享高电流的并行拓扑结构的元件数目。与典型封装额定值相比，由于封装电流额定值高达195A，TO-220、D2PAK和TO-262封装的改善超过了60%；与标准D2PAK封装相比，7引脚D2PAK进一步降低了多达16%的RDS(on)，功能更为完善。
IR亚洲区销售副总裁潘大伟表示：“新推出的逻辑电平栅极驱动沟道MOSFET具有基准RDS(on) ，能够由微控制器或弱电池驱动，提升其在轻负载条件下的效率。这些新元件非常适合高电流DC-DC转换和DC电机驱动应用。”
新型逻辑电平沟道MOSFET系列的电压范围为40V至100V。该系列已获得工业级和MSL1潮湿敏感度认证，更具备所有标准功率封装，包括TO-220、D2PAK、TO-262 以及7引脚D2PAK。新元件不含铅并符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 。
产品的基本规格如下：
|
元件编号
|
封装
|
Bvdss (V)
|
在4.5Vgs下的
最大RDS(on) (mΩ)
|
在25°C 下的Id (A)
|
在4.5Vgs下的
典型Qg (nC)
|
|
IRLS3034-7PPBF
|
D2PAK-7
|
40
|
1.7
|
*240
|
108
|
|
IRLB3034PBF
|
TO-220
|
40
|
2.0
|
*195
|
108
|
|
IRLS3034PBF
|
D2PAK
|
40
|
2.0
|
*195
|
108
|
|
IRLS3036-7PPBF
|
D2PAK-7
|
60
|
2.2
|
*240
|
91
|
|
IRLB3036PBF
|
TO-220
|
60
|
2.8
|
*195
|
91
|
|
IRLS3036PBF
|
D2PAK
|
60
|
2.8
|
*195
|
91
|
|
IRLS4030-7PPBF
|
D2PAK-7
|
100
|
4.1
|
190
|
87
|
|
IRLB4030PBF
|
TO-220
|
100
|
4.5
|
180
|
87
|
|
IRLS4030PBF
|
D2PAK
|
100
|
4.5
|
180
|
87
|
