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IR推出新型WideLead TO-262封装的车用MOSFET

发布时间:2011-05-25 来源:佳工机电网

产品特性:
  • 可将引线电阻降至不到0.5 mΩ
  • 电流承载能力高、引线温度低、传输导通电阻少
  • 环保、无铅、符合RoHS
应用范围:
  • 低导通电阻(Rds(on))的通用大负荷/高功率通孔
  • 内燃机(ICE)汽车电动助力转向系统和电池开关
  • 各类微型和全混合动力汽车
 
 
全球功率半导体和管理方案供应商国际整流器公司(International Rectifier,简称IR) 推出采用新型WideLead TO-262封装的车用MOSFET系列,与传统的TO-262封装相比,可减少 50%引线电阻,并提高30%电流。

这款新型车用MOSFET系列适合需要低导通电阻(Rds(on))的通用大负荷/高功率通孔应用,内燃机(ICE)汽车电动助力转向系统和电池开关,以及各类微型和全混合动力汽车。新器件采用IR先进的硅和封装技术,在显著提高性能的同时可与现有的设计标准相匹配。

在标准TO-262通孔封装中,除了MOSFET导通电阻,源极和漏极引线电阻可增至1mΩ。新WideLead TO-262通孔封装可将引线电阻降至不到0.5 mΩ,大大减少了引线中的传导损耗和热量,在特定的工作温度下,比传统的TO-262封装的电流承载能力高30%。根据评估,在直流电为40A和60A的条件下,WideLead引线温度比标准TO-262分别低30%和39%。此外,随着其它封装技术的提高,WideLead比标准TO-262封装中的同等MOSFET少传输20%导通电阻。

IR亚太区销售副总裁潘大伟表示:“新型WideLead TO-262封装的设计灵感来自于DirectFET封装超低芯片自由阻抗的出色性能,以及传统TO-262封装的各种局限性。IR新型WideLead封装中的MOSFET新系列在传输高电流的同时,大大降低了引线中的传导损耗和自身热量,从而为汽车应用提供了一个坚固可靠的解决方案。”

所有IR车用MOSFET产品都遵循IR要求零缺陷的汽车质量理念,并经过了动态和静态器件平均测试及100%自动晶圆级目视检查。

新器件符合AEC-Q101标准,是在IR要求零缺陷的汽车质量理念下研制而成的。它环保、无铅,也符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 。

有关产品现已接受批量订单。

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