产品特性：

• 新一代TrenchFET Gen IV系列MOSFET在4.5V下导通电阻为1.35mΩ
• 实现了非常高密度的设计，而没有明显增加栅极电荷
• Qgd/Qgs比值仅有0.5或更低

应用市场：

• 高功率密度DC/DC转换器、同步整流、同步降压转换器和OR-ing应用
• 开关电源、电压调节模块(VRM)、POL、通信砖式电源、PC和服务器

Vishay推出新一代TrenchFET Gen IV系列30V N沟道功率MOSFET器件，新器件采用高密度设计，与前一代器件相比，SiRA00DP的导通电阻与面积乘积减小了60%，在10V电压下实现了1.0mΩ的极低导通电阻，4.5V下1.35mΩ的导通电阻达到业内最佳水准。

新一代TrenchFET Gen IV系列30V N沟道功率MOSFET器件包括四款型号——SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN。在4.5V下导通电阻低至1.35mΩ，Miller电荷Qgd低至1.8nC，采用PowerPAK SO-8和1212-8封装。对于设计者而言，MOSFET的低导通电阻可以实现更低的传导损耗，减少功率损耗，达到更高的效率。

TrenchFET Gen IV MOSFET采用了一种新型结构，这种结构实现了非常高密度的设计，而没有明显增加栅极电荷，克服了经常在高晶格数量器件上出现的这个问题。今天发布的MOSFET的总栅极电荷较低，使得SiRA04DP在4.5V下导通电阻与栅极电荷乘积优值系数(FOM)降至56nC-Ω。

SiRA00DP、SiRA02DP和SiRA04DP可提高系统效率，降低温度，采用6.15mm x 5.15mm PowerPAK SO-8封装，SiSA04DN的效率与之相近，3.30mm x 3.30mm PowerPAK 1212-8封装的面积只有前三款器件的1/3。今天发布的所有器件的Qgd/Qgs比值仅有0.5或更低。更低的比值可以降低栅极感应电压，有助于防止击穿的发生。

SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN适用于高功率密度DC/DC转换器、同步整流、同步降压转换器和OR-ing应用。典型终端产品包括开关电源、电压调节模块(VRM)、POL、通信砖式电源、PC和服务器。

TrenchFET Gen IV经过了100%的Rg和UIS测试。这些器件符合IEC 61249-2-21的无卤素规定和RoHS指令。TrenchFET Gen IV MOSFET现可提供样品，在2012年1季度实现量产，大宗订货的供货周期为十二周。