【导读】ADI公司推出三款高性能16/14位发射DAC,高速DAC可在扩展温度范围内工作,并采用更可靠的NiPdAu和含铅BGA封装。特别适合用于雷达、安全通信、航空电子和其他防务电子应用等领域。目前三款产品均已量产,可提供样品供货
对于引脚架构封装,除了扩展温度范围,一些航空航天和防务应用要求采用其他解决方案代替亚光锡(Sn),以便消除对于镀锡工艺中产生锡须问题的担忧。这些DAC可采用NiPdAu引脚架构或含铅BGA封装,不存在锡须问题。NiPdAu引脚架构封装采用符合RoHS标准的低卤/无卤材料,并且整个引脚架构进行预电镀处理。
用于基带频率合成的AD9117双通道DAC的特性与优势:
SFDR(至奈奎斯特频率):
86 dBc(1 MHz输出)
85 dBc(10 MHz输出)
NSD(10 MHz输出,125 MSPS,20 mA):−157 dBc/Hz
差分电流输出:4 mA至20 mA
工作温度范围:-40° C至+85° C
NiPdAu引脚架构封装
用于中频合成的AD9122EP双通道DAC的特性与优势:
SFDR性能:72 dBc(fDAC = 800 MSPS,fOUT = 70 MHz)
可调模拟输出:8.7 mA至31.7 mA,RL = 25 Ω至50 Ω
新颖的2×/4×/8×插值器/复数调制器允许将载波放在DAC带宽中的任意位置
工作温度范围:-55° C至+105° C
NiPdAu引脚架构封装
用于RF合成的AD9739单通道DAC的特性与优势:
业界领先的单/多载波IF或RF合成
SFDR性能:60 dBc(fDAC = 2400 MSPS,fOUT = 950 MHz)
工作温度范围:-40° C至+85° C
含铅BGA封装
报价、供货与配套产品

配套产品包括:AD9266-EP 16位、65 MSPS、1.8 V ADC,集成片内采样保持电路,在高达200 MHz的输入频率下器件依然保持良好的性能。该器件工作温度范围为−55°C至+125° C的整个军用温度范围,设计具有低成本、低功耗、小尺寸和使用方便的特性。