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用于锂离子电池保护电路的N沟道低导通电阻MOSFET

发布时间:2012-12-13 责任编辑:easonxu

【导读】东芝推出新款N沟道低导通电阻MOSFET,可用于锂离子电池保护电路和手机电源管理开关。采用了TSON Advance封装,可提供出色的散热性能和高抗雪崩性能。


东芝公司(Toshiba Corporation)推出了一款低导通电阻MOSFET—TPN2R503NC。该产品采用最新的第八代工艺打造,可用于锂离子电池保护电路和手机电源管理开关。其他两款第八代产品TPN4R203NC和TPN6R303NC也被添加到该产品系列中,成为现有型号的换代产品。所有三款产品均有助于降低设备厚度和总体尺寸,并可提高效率。

规格

应用
 
锂离子电池保护电路
手机电源管理开关 
 
主要特点
 
由于采用了最新的第八代工艺,因此产品的导通电阻比现有的东芝产品要低。
采用了TSON Advance封装,可提供出色的散热性能。
高抗雪崩性能。
 

 

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