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【电源设计小贴士26】:高频导体的电流分布

发布时间:2013-02-26 责任编辑:hedyxing

【导读】本次【电源设计小贴士】我们将研究自由空间及缠绕结构中导体的有效电阻。文中图1显示了第一个例子。其为自由空间中单条导线的横截面,其携带的是高频电流。

如果电流为直流,则显示为不同颜色的电流密度全部相同。但是,随着频率的增加,电流朝导体外部移动,如红色和橙色所示。这种拥挤情况被称为趋肤效应。透入深度被定义为外表面到电流密度降至外表面电流密度1/e的那个点的距离。就铜而言,深度为:



其中f单位为兆赫,而深度单位为cm。

高频下电流向外表面聚集
图1 高频下电流向外表面聚集

图2显示了自由空间中扁平导体的电流分布。它趋向在窄边中流动,而非导体表面都相等。但是,它仍然具有相同的渗透深度。这大大地增加了电阻,因为导体的大部分都具有非常低的电流密度。

电流集中于渗透深度导体端附近
图2 电流集中于渗透深度导体端附近

为了绕过扁平导体的电流分布问题,通常将其直接放置在第二导体或接地层上面,它们的电流大小相等而方向相反。图3显示了一个示例,例子中反向电流相互吸拉至两个导体的邻近表面。渗透深度保持相同。电流主要都包含在一个以渗透深度和导体宽度(而非图2所示的渗透深度和导体厚度)为边界的区域中。因此,这些导体的 交流电阻远低于自由空间的情况。

反向电流拉至邻近表面
图3 反向电流拉至邻近表面

图4显示了一个层缠绕结构的横截面。其中,最上面两个导体(3和4)携带相同方向的相同电流,而最下面两个(1和2)携带与上面各层方向相反的相等电流。这可以代表2-2匝数比变压器的层。如前面例子所述,绕组的电流被吸取至相对面。然而,出现了一种有趣的现象。在绕组1和4中,电流被吸取至内表面,它在方向相反的绕组2和3上引起电流。绕组2和3的总电流正以反向流动,因此内表面上的电流密度更大。这种现象被称为邻近效应,其会使高频工作的层结构出现问题。解决这一问题的一种方法是重新安排导体叠放,对绕组交错以让电流在两端以正确方向流动,而非使用具有同向电流的两个邻近层绕组。

邻近绕组的反向电流极大地增加了损耗
图4 邻近绕组的反向电流极大地增加了损耗

Dowell1建立了一种分析模型,用于计算不同厚度和层结构导体的交流电阻增加情况。图5显示了其结果。曲线图的X轴将层厚度标准化为渗透深度,而Y轴表明标准化为直流电阻的交流电阻。根据绕组中层的数目,绘制出这些曲线。一旦导体厚度接近趋肤深度,合理AC/DC比的层数便变少。另外,需要注意的是1/2层的低曲线。在这种情况下,绕组被交错,并且电阻增加远远小于单层情况。

Dowell说明了高损耗层缠绕结构的情况
图5 Dowell说明了高损耗层缠绕结构的情况

总之,随着频率增加,导体的电流分布会急剧变化。在自由空间中,相比扁平导体, 圆形导体在高频下电阻更低。但是,同接地层一起使用时,或者其位于携带返回电流的导体附近时,扁平导体则更佳。
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