【导读】Littelfuse公司将出席2016年5月10-12日在德国纽伦堡举行的2016年PCIM Europe展。该展会是展示电力电子领域最新发展的世界领先盛会之一。
本次展会上，公司将在7-140展台（7厅）展示两个全新的电源半导体系列：碳化硅（SiC）肖特基二极管和硅IGBT技术。
“今年，能够展示电源半导体策略，Littelfuse深感振奋。 我们将继续投资和发展产品组合，为市场带来出色的功能。”Littelfuse高级副总裁、半导体产品总经理兼首席技术官Ian Highly表示。 “Littelfuse能够将电力电子系统的典型要素——保护、控制、传感，集成到一个系统中。 没有其他任何技术供应商能够以同等的水平协调并集成电力系统的关键要素。”他补充道。
展台演示
展台内将使用5kW降压转换器（如结构图中所示，额定输入电压为675V，额定输出电压为350V）， 演示Monolith SiC MOSFET技术的功能。 这种转换器可高频率（~200kHz）切换，具有硅IGBT所无法达到的效率（>98%）。
2015年，Monolith与Littelfuse, Inc结成战略伙伴关系，合作为工业和汽车市场研发SiC功率半导体。 Monolith的尖端SiC MOSFET技术可帮助在工业和汽车市场的广泛应用中显著缩小系统尺寸和重量（因频率提高）和降低能耗（因功率损耗降低）。
Monolith Semiconductor代表与电源转换器设计师将在现场介绍有关Monolith SiC技术优势的更多信息及其如何有望彻底改变电力电子行业的格局。
保护和控制
Littelfuse展台将展示下列市场应用的解决方案：
• 数据通信电源 - 保护从智能手机到蜂窝基站的全球电信网络
• 太阳能 - 高度可靠，并能保护恶劣环境中的光伏发电设备和系统
• 工业驱动设备 - 确保工业应用电力的安全控制和分配
• 电动汽车和混合电动汽车：针对同步、频率控制、负载共享和电源管理的保护和控制解决方案
新产品公告
• 除了展示多元化的产品解决方案组合外，Littelfuse还将推出全新LFUSCD系列碳化硅（SiC）肖特基二极管，并公布其IGBT模具技术
