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华润微总裁李虹：中国半导体市场下滑趋势有到底迹象！

6月17日，在广州南沙召开的第二届中国•南沙国际集成电路产业论坛（2023 IC NANSHA）上，国内IDM大厂华润微（SH688396）总裁李虹在演讲中表示，中国半导体市场规模在过去的一年当中，增速弱于全球，呈现周期性衰退，但下滑趋势有到底迹象。

2023-07-24

华润微中国半导体市场下滑

一个简单的无变压器1．5V DC电源电路

本文介绍了一个简单的无变压器 1.5V DC电源电路，可用于直接从市电为挂钟供电，并且还可以保持备用电池充满电，即使在市电故障期间也能实现时钟的不间断运行。

2023-07-22

无变压器 DC电源电路

工程师必须知道的大电流单通道栅极驱动器设计技巧

NCD(V)5700x 是大电流单通道栅极驱动器，内置电流隔离功能，用于在高功率应用中实现高系统效率和可靠性。其特性包括：互补输入（IN+ 和 IN-），开漏故障（1686908889869977.png）和就绪 (RDY) 输出，复位或清除故障功能（1686908875512772.png），有源米勒箝位 (CLAMP)，去饱和保护 (DESAT)，去饱和...

2023-07-21

栅极驱动器设计技巧

如何高效完成大电流单通道栅极驱动器电路设计？

NCD(V)5700x 是大电流单通道栅极驱动器，内置电流隔离功能，用于在高功率应用中实现高系统效率和可靠性。上篇中我们介绍了NCD(V)5700x的输入(IN)和输出(OUT)信号、输入偏置电源(VDD1)、输出正负偏置电源(VDD2和VEE2)、功耗(PD)和结温(TJ)、欠压闭锁(UVLO)和就绪(RDY)和去饱和(DESAT)保护和软关断(ST...

2023-07-21

栅极驱动器电路设计

使用高压电池的电动汽车安全性如何？

如今，电动汽车上使用的高压电池都提供了最大的安全性和使用寿命。如果您还在因为担心电池的安全性而犹豫是否将燃油动力汽车换成电动汽车 (EV)，那就尽管放心！据多家媒体的报道，很多人都非常关注电动汽车及其高压电池的危险性。其实高压电池在正常的操作条件下使用是非常安全的，出现的问题也相对...

2023-07-20

高压电池电动汽车安全电池

深度剖析IGBT栅极驱动注意事项

IGBT晶体管的结构要比 MOSFET 或双极结型晶体管 (BJT) 复杂得多。它结合了这两种器件的特点，并且有三个端子：一个栅极、一个集电极和一个发射极。就栅极驱动而言，该器件的行为类似于 MOSFET。它的载流路径与 BJT 的集电极-发射极路径非常相似。图 1 显示了 n 型 IGBT 的等效器件电路。

2023-07-20

IGBT 栅极驱动注意事项

VCC（电源）和 GND（地）之间电容的作用

电源与地之间接电容的原因有两个作用，储能和旁路储能：电路的耗电有时候大，有时候小，当耗电突然增大的时候如果没有电容，电源电压会被拉低，产生噪声，振铃，严重会导致 CPU 重启，这时候大容量的电容可以暂时把储存的电能释放出来，稳定电源电压，就像河流和水库的关系旁路：电路电流很多时候有...

2023-07-19

VCC GND 电容

具有更高效率与优势的碳化硅技术

碳化硅（SiC）技术具有比传统的硅（Si）、绝缘栅双极晶体管（IGBT）等技术具有更多优势，包括更高的开关频率，更低的工作温度，更高的电流和电压容量，以及更低的损耗，进而可以实现更高的功率密度、可靠性和效率。本文将为您介绍SiC的发展趋势与在储能系统（ESS）上的应用，以及由Wolfspeed推出的S...

2023-07-19

碳化硅发展趋势储能系统

PFC电路：死区时间理想值的考量

由于该电路是进行同步整流工作的电路，所以我们通过仿真来探讨高边（HS）和低边（LS）SiC MOSFET SCT2450KE的死区时间理想值，即不直通的最短时间。死区时间可以通过仿真工具的PWM控制器参数TD1（HS）和TD2（LS）来分别设置。

2023-07-18

PFC电路死区时间理想值

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