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电源管理

如何高效完成大电流单通道栅极驱动器电路设计？

NCD(V)5700x 是大电流单通道栅极驱动器，内置电流隔离功能，用于在高功率应用中实现高系统效率和可靠性。上篇中我们介绍了NCD(V)5700x的输入(IN)和输出(OUT)信号、输入偏置电源(VDD1)、输出正负偏置电源(VDD2和VEE2)、功耗(PD)和结温(TJ)、欠压闭锁(UVLO)和就绪(RDY)和去饱和(DESAT)保护和软关断(ST...

2023-07-21

栅极驱动器电路设计

使用高压电池的电动汽车安全性如何？

如今，电动汽车上使用的高压电池都提供了最大的安全性和使用寿命。如果您还在因为担心电池的安全性而犹豫是否将燃油动力汽车换成电动汽车 (EV)，那就尽管放心！据多家媒体的报道，很多人都非常关注电动汽车及其高压电池的危险性。其实高压电池在正常的操作条件下使用是非常安全的，出现的问题也相对...

2023-07-20

高压电池电动汽车安全电池

深度剖析IGBT栅极驱动注意事项

IGBT晶体管的结构要比 MOSFET 或双极结型晶体管 (BJT) 复杂得多。它结合了这两种器件的特点，并且有三个端子：一个栅极、一个集电极和一个发射极。就栅极驱动而言，该器件的行为类似于 MOSFET。它的载流路径与 BJT 的集电极-发射极路径非常相似。图 1 显示了 n 型 IGBT 的等效器件电路。

2023-07-20

IGBT 栅极驱动注意事项

VCC（电源）和 GND（地）之间电容的作用

电源与地之间接电容的原因有两个作用，储能和旁路储能：电路的耗电有时候大，有时候小，当耗电突然增大的时候如果没有电容，电源电压会被拉低，产生噪声，振铃，严重会导致 CPU 重启，这时候大容量的电容可以暂时把储存的电能释放出来，稳定电源电压，就像河流和水库的关系旁路：电路电流很多时候有...

2023-07-19

VCC GND 电容

具有更高效率与优势的碳化硅技术

碳化硅（SiC）技术具有比传统的硅（Si）、绝缘栅双极晶体管（IGBT）等技术具有更多优势，包括更高的开关频率，更低的工作温度，更高的电流和电压容量，以及更低的损耗，进而可以实现更高的功率密度、可靠性和效率。本文将为您介绍SiC的发展趋势与在储能系统（ESS）上的应用，以及由Wolfspeed推出的S...

2023-07-19

碳化硅发展趋势储能系统

PFC电路：死区时间理想值的考量

由于该电路是进行同步整流工作的电路，所以我们通过仿真来探讨高边（HS）和低边（LS）SiC MOSFET SCT2450KE的死区时间理想值，即不直通的最短时间。死区时间可以通过仿真工具的PWM控制器参数TD1（HS）和TD2（LS）来分别设置。

2023-07-18

PFC电路死区时间理想值

了解这些就可以搞懂 IGBT

绝缘栅双极晶体管（IGBT, Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种三端功率半导体器件，主要用作电子开关，在较新的器件中以结合高效和快速开关而闻名。IGBT通过在单个器件中组合用于控制输入的隔离栅极FET和作为开关的双极功率晶体管，将MOSFET的简单栅极驱动特性与双极晶体管的高电流和低饱和...

2023-07-18

工作原理 IGBT

为什么这种USB充电器可以又快又小？

用于锂离子和锂聚合物电池的通用电池充电器与用于随身充电 (OTG) 的 USB 3.0 供电 (PD) 技术一起使用的应用越来越广泛，包括无人机、智能手机、平板电脑、无绳吸尘器、便携式医疗设备、无线扬声器和电子收银机设备。在这些应用中，一直要求设计者减少充电时间和外形尺寸，提高功率密度，并降低成本。

2023-07-17

USB 充电器 FRS

计算DC-DC补偿网络的分步过程

本文旨在帮助设计人员了解DC-DC补偿的工作原理、补偿网络的必要性以及如何使用正确的工具轻松获得有效的结果。该方法使用LTspice®中的一个简单电路，此电路基于电流模式降压转换器的一阶（线性）模型1。使用此电路，无需执行复杂的数学计算即可验证补偿网络值。

2023-07-17

DC-DC 补偿网络计算过程

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