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电源管理

堪称工业中的“CPU”：IGBT，中外差距有多大

IGBT(绝缘栅双极型晶体管），是由 BJT(双极结型晶体三极管) 和 MOS(绝缘栅型场效应管) 组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件,其具有自关断的特征。简单讲，是一个非通即断的开关，IGBT没有放大电压的功能，导通时可以看做导线，断开时当做开路。IGBT融合了BJT和MOSFET的两种器件的优点，如驱...

2018-07-18

IGBT 芯片开关

如何在电压控制电路中使用FET（第一部分）

LIS公司生产各种FET（场效应晶体管），特别值得一提的是他们有各种匹配双器件产品，这种匹配器件封装有其独特优势。例如，如果您在设计一个双声道立体声音频产品，那么在同一个封装中包含两个或四个器件就可以使两个音频通道匹配更加紧密。

2018-07-17

技术实例模拟设计 FET 压控电阻

关于直接反电动势法的无刷直流电机准确换相新方法

分析了上桥臂PWM 调制、下桥臂恒通调制方式时的端电压波形,讨论相应的反电动势过零点检测方法。在PWM 调制信号开通状态结束时刻对端电压进行采样,由软件算法确定反电动势过零点. 针对电机运行时存在超前换相或滞后换相的情况,通过设置合理的延迟时间来实现最佳换相。

2018-07-16

反电动势法无刷直流电机电机控制

【防偏磁】半桥隔直电容计算方法！

工程师都知道实际的开关电源半桥拓扑都有一个隔直电容，其实在原理拓扑中是没有这个电容的。这个电容的存在一定是有它的道理的，该如何理解，又该如何计算它的容量？

2018-07-13

防偏磁半桥隔直电容计算方法

【两公式搞定】实际带你计算一个电流互感器！

电流互感器与一般的电压变压器的区别在什么地方呢?这个问题即使是资深的磁性元件设计人员也很难回答。基本的区别在于：变压器试图把电压从原边变换到副边，而电流互感器试图把电流从原边变换到副边。电流互感器的电压大小由负载决定。

2018-07-13

电流互感器开关电源损耗

详解MOSFET与IGBT的本质区别

本文将对一些参数进行探讨，如硬开关和软开关ZVS (零电压转换) 拓扑中的开关损耗，并对电路和器件特性相关的三个主要功率开关损耗—导通损耗、传导损耗和关断损耗进行描述。此外，还通过举例说明二极管的恢复特性是决定MOSFET 或 IGBT导通开关损耗的主要因素，讨论二极管恢复性能对于硬开关拓扑的影响。

2018-07-13

MOSFET IGBT 开关电源

简单电路让数字电源控制器与模拟控制兼容

最近，超大规模集成 (VLSI) 技术的发展扩宽了数字控制应用范围，尤其是在电源电子元件方面的应用。数字控制IC具有多种优势，比如裸片尺寸更小、无源元件数量更少、成本更低。另外，数字控制可利用电源管理总线 (PMBus™) 来完成系统配置；高级控制算法能改善性能；可编程性则可实现应用优化。

2018-07-11

数字电源电源控制器模拟控制

【干货】你想知道的PD移动电源知识都在这里！

USB-IF推广PD的目的是统一快速充电协议，从市场的变化来看，也正在朝这个方向发展，高通QC4.0协议和MTK3.0协议都采用了PD3.0的PHY层设计。不过可以预见，从多协议并存到统一至少还需要2-3年时间，在此期间，多协议仍然是配件市场的发展主流，而在众多协议之中，PD协议将会是客户的硬性指标。

2018-07-11

PD移动电源通信信号

深度解析LED驱动电源中的电容降压原理

就目前国内的LED驱动电源设计趋势而言，采用电容降压原理来完成驱动电路设计的产品，已经逐渐在市场上立稳脚跟。采用这种设计的LED电源产品，均有较好的稳定性，且成本耗费较低。在今天的文章中，我们将会就LED驱动电源中的电容降压原理展开简要的分析和介绍。

2018-07-10

LED驱动电源电容降压

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