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一种电子引信抗电磁干扰封装技术
随着信息时代的到来，引信逐步向智能化方向发展，各类新型电子引信由于采用了大量的电子器件和电路，随之产生了易受各种电磁脉冲武器和电磁环境干扰和毁伤的问题，导致引信失效的现象时有发生。
2012-02-15
抗电磁 超宽带 电磁干扰 HPM
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主变差动保护原理分析
主变差动保护是变压器的主要保护手段，基本原理是反应被保护变压器各端流入和流出电流的差，在保护区内故障，差动回路中的电流值大于整定值，差动保护瞬时动作，而在保护区外故障，主变差动保护则不应动作。受变压器励磁电流、接线方式、电流互感器误差等因素的影响，使差动回路中产生不平衡电流，...
2012-02-15
主变 差动 保护原理 电流互感
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锂离子电池安全性问题
目前锂离子电池电解液使用碳酸酯作为溶剂，其中线型碳酸酯能够提高电池的充放电容量和循环寿命，但是它们的闪点较低，在较低的温度下即会闪燃，而氟代溶剂通常具有较高的闪点甚至无闪点，因此使用氟代溶剂有利于抑制电解液的燃烧。目前研究的氟代溶剂包括氟代酯和氟代醚。
2012-02-15
锂离子 电池 安全性 电解质
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激光焊接技术在传感器生产中应用
根据国家标准GB7665-87，传感器定义为：能感受规定的被测量并按照一定的规律转换成可用输出信号的器件装置。传感器作为检测工具，要求检测研究对象的物理或化学的信息，其工作过程要求稳定、可靠、精度高，所以对传感器有以下几个要求：
2012-02-15
激光焊接 传感器 压力传感器 力传感器
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配电开关在LED应用中的技术分析
高功率LED正越来越多地被运用于各种领域，包括汽车照明、照相手机闪光灯、舞台灯光、场所照明、夜景照明、闪光灯、自行车灯和汽车行驶灯。本文将讨论在LED应用中采用配电开关的各个技术问题。
2012-02-15
配电开关 LED应用 技术分析 照相
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V850E2/PJ4-E:瑞萨电子推出全新微控制器系列
全球领先的高级半导体和解决方案的供应商瑞萨电子株式会社（TSE：6723，以下简称“瑞萨电子”）宣布开发出了一款全新32位微控制器（MCU）V850E2/PJ4-E，该器件采用片上旋变解码器。这款全新微控制器可提高汽车控制系统的性能并降低其系统成本，其中包括HEV/EV的电机控制及其他汽车应用等。
2012-02-15
V850E2/PJ4-E 瑞萨电子 微控制器
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电路设计中三极管和mos管的区别
我们在做电路设计中三极管和MOS管做开关用时候有什么区别 工作性质：1.三极管用电流控制，MOS管属于电压控制.2、成本问题：三极管便宜，MOS管贵。3、功耗问题：三极管损耗大。
2012-02-14
电路设计 三极管 mos管 双极晶体管
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电动汽车充电电池性能退化原因何在
电池的性能退化一方面是使用和老化的自然结果，另一方面则由于缺乏维护、苛刻的使用环境以及不良的充电操作等等加速其劣化。下面将探讨充电电池各种难以克服的问题、其原因及弥补这些问题的方法。
2012-02-14
电动汽车 充电电池
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HOMSEMI中低压MOSFET全面升级8英寸0.18μm Trench工艺
2011年12月，广州成启半导体有限公司宣布，HOMSEMI中低压MOSFET全面使用8英寸、0.18μm、Trench工艺晶圆。成启半导体表示，这次产品升级已经过一年准备和试产，将使Power MOSFET的原胞密度提高、RDS（ON）降低、QG降低，提高整机效率，同时获得更好的成本控制能力，这意味着，HOMSEMI成为国内一线分...
2012-02-13
HOMSEMI Power MOSFET Trench MOSFET
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