产品特性：
- 漏极效率大于50%
- 增益：17dB
- 达500W的耐用度
- 无毒封装、符合ROHS标准
应用范围：
- L波段雷达应用
恩智浦半导体（NXP Semiconductors）扩张其业界领先的RF Power 晶体管产品线，近日推出最新的针对L波段雷达应用的横向扩散金属氧化物半导体（Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor，以下简称LDMOS)晶体管，该晶体管在1.2GHz到1.4GHz的频率之间带来达500W的突破性的RF输出功率。
针对大范围的L波段雷达应用，恩智浦的LDMOS L波段RF功率晶体管设置了新的效率标准（漏极效率大于50%）、增益（17dB）和达500W的耐用度。
恩智浦半导体RF功率产品线全球产品市场经理Mark Murphy表示：“作为首个推出L波段和S波段应用的LDMOS的公司，恩智浦高效LDMOS RF功率晶体管产品线建立了一个崭新的业界标准，为我们的客户提供市场上表现最优异和最耐用的晶体管。RF输出功率达到500W这个突破，是恩智浦通力合作、贴近客户需求的结果，使我们推出了可缩短上市时间的易于进行设计导入的晶体管。
恩智浦L波段RF晶体管(BLL6H1214-500)的主要表现参数包括：
- 500W峰值输出功率（在1.4GHz,100µs脉冲宽度，25%占空比时）
- 17dB增益
- 50%漏极效率
- 更佳耐用度
- 能够承受高达5dB的过驱动能力
- 更佳脉冲顶降 （低于0.2dB）
- 供电电压50V
- 无毒封装、符合ROHS标准
恩智浦的这款器件结合了双极管的功率密度和适用于L波段雷达设计的LDMOS技术优势，其环保的陶瓷封装，可与BeO封装互相替代。
