【导读】碳化硅功率器件正在从MOSFET向更高性能的JFET方向延伸，超低导通电阻与高温可靠性是工业、光伏、航天等场景的核心诉求。至信微电子今日宣布，1200V 5mΩ超低导通电阻SiC JFET系列产品已完成核心客户端验证，正式进入批量供货。这是继年初量产1200V 260mΩ、650V 140mΩ JFET之后，该公司在SiC JFET产品线上迈出的关键一步，也是国内首次实现5mΩ级SiC JFET的产业化供货。
高性能，高可靠
该系列产品通过解决了大尺寸芯片良率不高和导通电阻偏大问题，集高耐压、超低导通损耗、极速开关响应与优异高温稳定性于一身，性能参数全面比肩国际主流器件。其采用全结型栅极结构，彻底规避了传统MOSFET中栅氧界面陷阱引起的阈值漂移风险，在150℃以上高温、强辐射等严苛工况下仍能保持稳定工作，尤其适用于工业电机驱动、光伏逆变器、充电桩、航空航天等高可靠性电力电子场景。
双线布局，夯实技术底座
此次突破，建立在至信微深厚的技术积淀之上。公司此前已率先推出1200V 7mΩ及750V 5mΩ碳化硅MOSFET，产品良率稳定超过90%，在新能源汽车、光伏储能、工业电源等领域获得头部客户规模化应用。至此，至信微成为国内同时具备SiC MOSFET与SiC JFET双产品线的功率半导体企业，构筑起从SiC MOS到SiC JFET的完整高性能器件矩阵。
SiC JFET市场概况
当前，全球SiC JFET市场正迎来爆发式增长——2025年全球销售额达30.83亿元，预计2032年将突破56.96亿元。国际巨头如英飞凌亦于今年6月宣布扩展其CoolSiC JFET系列，瞄准AI数据中心与工业应用。至信微此番率先实现1200V 5mΩ量产出货，不仅填补了国内超低阻JFET的产业化空白，更在关键器件自主供给与供应链安全层面提供了坚实支撑。
结论
至信微此次量产的1200V 5mΩ SiC JFET，将导通电阻推至业界领先水平，同时依托全结型栅极结构规避了传统MOSFET的阈值漂移问题，在高温、强辐射等严苛场景下具备天然可靠性优势。结合公司此前已量产的SiC MOSFET产品线，至信微是国内为数不多同时覆盖SiC MOS和SiC JFET双产品线的功率半导体企业。当前全球SiC JFET市场正快速增长，英飞凌等国际厂商也在加大布局，至信微率先实现超低阻JFET批量出货，对国内关键功率器件供应链的自主配套具有重要意义。
