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RF/微波

中国3G产业现状和发展分析

预测三大运营商三年3G总投资额为3000亿元，2009年底，中国通信业将全面进入3G时代。在技术上将向高速率化、宽带化、IP化方向发展；网络不断向后3G演进；3G数据业务在中国的未来发展前景明确；2G和3G网络将长期共存；预计5年内将有一半的移动用户成为3G用户。

2009-01-29

3G 中国电信中国移动中国联通

MAX3678：Maxim具有智能动态切换功能的频率合成器

Maxim推出具有9路LVPECL时钟输出和智能动态切换功能的低抖动频率合成器MAX3678。该器件从66.6MHz的低参考时钟输入产生高达333MHz的时钟输出。是高端服务器存储和CPU时钟发生器等高速同步应用的理想选择。

2009-01-24

LVPECL MAX3678 超低抖动 VCO PLL 频率合成器

可降低多频手机功耗的射频-微机电系统

手机多频和多功能的发展趋势需要新型手机集成更多的频带和操作模式，同时最大程度地降低电能消耗。然而，手机天线失配将带来额外的功耗，此时通过可调匹配网络是射频前端与天线匹配捷克解决这个问题，而射频-微机电系统是组成可调网络的好选择，它的线性和电能稳定性更好、调谐范围也更大，获得品质...

2009-01-16

MEMS RF前端手机频段天线阻抗匹配

如何为射频电路选择合适的电感

本文介绍了射频电感的分类、射频电感的技术指标和射频电感的分类。

2009-01-06

射频电路 RF 电感 Q值直流电阻自谐振频率振荡电路叠层片式电感绕线电感锥形电感磁芯

IBM研发出世界最快的石墨烯晶体管

IBM研究中心声称研究出世界上速度最快的石墨烯场效应晶体管，运行频率达到26GHz。

2009-01-04

石墨烯晶体管低噪声放大器射频电路

富士通开发出适用于功率放大器的CMOS逻辑高压晶体管

富士通微电子(上海)有限公司近日宣布，富士通实验室和富士通株式会社联合开发出一款具有高击穿电压并基于逻辑制程的CMOS高压晶体管，该晶体管适用于无线设备的功率放大器。作为先进科技的先驱，富士通开发完成了世界上第一代基于45纳米工艺的CMOS晶体管，能够处理10V功率输出，这使得晶体管能够处理...

2009-01-02

CMOS 功放 WiMAX LTE 单芯片集成PA和射频

电子元器件S参数的含义和用途

在进行射频、微波等高频电路设计时，节点电路理论已不再适用，需要采用分布参数电路的分析方法，这时可以采用复杂的场分析法，但更多地时候则采用微波网络法来分析电路，对于微波网络而言，最重要的参数就是S参数。在个人计算机平台迈入 GHz阶段之后，从计算机的中央处理器、显示界面、存储器总线到...

2008-12-19

S参数射频微波分散参数集总电路

BLL6H1214-500：NXP L波段雷达应用RF输出功率器件

恩智浦半导体扩张其业界领先的RF Power 晶体管产品线，近日推出最新的针对L波段雷达应用的横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS)晶体管，该晶体管在1.2GHz到1.4GHz的频率之间带来达500W的突破性的RF输出功率。

2008-11-25

BLL6H1214-500 RF Power 晶体管 L波段雷达应用 LDMOS

Mouser宣布与Walsin公司签订全球分销协议

贸泽（Mouser）电子公司近日宣布与Walsin公司签订全球分销协议。

2008-11-24

RF高频器件天线带通滤波器平衡器平衡滤波器共模滤波器双工器 MLCC EMI ESD滤波器

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