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RF/微波

1.9GHz基站前端射频LNA仿真与实现研究

本文给出了基于E-pHEMT管ATF-54143和混合耦合器2A1306-3的射频低噪声放大器的设计。E-pHEMT管的低噪声系数和高OIP3使它在高动态范围电路设计上具有很大的优势,并且该放大器的技术指标达到了CDMA基站的接收前端对低噪声放大器的规范要求,具有很好的应用前景。

2008-10-12

截点 E-pHEMT 平衡结构 LNA 仿真

本文详细讨论了传输线的阻抗匹配问题。重点介绍了串联终端匹配和并联终端匹配，提出将讯号的传输看成软管送水浇花和传输线之终端控管技术。

2008-10-12

传输线阻抗匹配讯号特性阻抗

本文通过分析RF功率 LDMOSFET的性能和结构特征，设计出RF 功率 LDMOSFET器件结构，通过工艺和器件模拟确定了关键参数，并设计了一套符合6寸芯片生产线的制造工艺流程，对工艺中的难点提出了解决方案。

2008-10-12

RF MOSFET 性能工艺

本文详细介绍了放大器的基本拓扑和参数，如果价格可以接受的话，运放，特别是CFB运放非常适合射频设计。

2008-10-12

运放射频 CFB

法国Sofradir公司宣布收购美国Electrophysics公司。此项收购有望加速Sofradir和它的子公司ULIS在北美市场的发展。Sofradir希望30天内完成本次交易，交易价格尚未披露。

2008-10-08

收购 Sofradir Electrophysics 红外

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