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GaN HEMT 大信号模型
GaN HEMT 为功率放大器设计者提供了对 LDMOS、GaAs 和 SiC 技术的许多改进。更有利的特性包括高电压操作、高击穿电压、功率密度高达 8 W/mm、fT 高达 25 GHz 和低静态电流。另一方面，GaN RF 功率器件具有自加热特性，并且元件参数的非线性与信号电平、热效应和环境条件之间存在复杂的依赖关系。这些因素往往给准确预测器件大信号性能造成更多困难。
2022-09-15
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汽车感性负载安全退磁能量计算和分析
随着汽车电子技术的发展，轻量化与智能化的需求也带动了英飞凌智能功率器件 (IPD)在车身负载驱动的大规模应用。对于感量较大的负载，如雨刮、鼓风机、风扇、继电器等，需要考虑负载关断时产生的能量对系统的冲击，同时驱动器件不能被该能量击穿。本文提供了评估测量感性能量的方法和工具，在一个明确定义的应用场景中，瞬间关断时的产生的箝位能量（ECL），与高压侧器件本身的能量能力进行对比，保证IPD器件长期可靠工作。
2022-08-03
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GaN是否具有可靠性？或者说我们能否如此提问？
鉴于氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 能够提高效率并缩小电源尺寸，其采用率正在迅速提高。但在投资这项技术之前，您可能仍然会好奇GaN是否具有可靠性。令我惊讶的是，没有人询问硅是否具有可靠性。毕竟仍然有新的硅产品不断问世，电源设计人员对硅功率器件的可靠性也很关心。
2022-07-29
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25kW SiC直流快充设计指南(第八部分完结篇)：热管理
在本系列的前几篇文章中[1-7]，我们介绍了基于安森美丰富的SiC功率模块和其他功率器件开发的25 kW EV快充系统。在这一章，我们来看看其中的热管理部分是如何提高效率和可靠性，同时防止系统过早失效的。
2022-07-11
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25kW SiC直流快充设计指南(第七部分)：800V EV充电系统的辅助电源
在本系列的前几篇文章中[1-6]，我们介绍了基于安森美(onsemi)的SiC功率模块和其他功率器件开发的25kW EV快充系统，包括这个可扩展系统的整体架构和规格，以及其中PFC和DC-DC变换部分的硬件设计和控制策略。我们基本已经把电路设计部分讲完了，除了辅助电源设计的相关内容。
2022-07-07
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英飞凌绝缘体上硅(SOI)高压驱动芯片的三个优势
现在的高功率变频器和驱动器承载更大的负载电流。如下图1 所示：由于功率回路里的寄生电感（主要由功率器件的封装引线和PCB的走线产生的），电路中VS脚的电压会从高压母线电压（S1通S2关时）变化到低于地的负压（S1关闭时）。图一右边波形中的红色部分就是VS脚在半桥感性负载电路中产生的瞬态负电压。
2022-06-28
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功率半导体冷知识：功率器件的功率密度
功率半导体注定要承受大的损耗功率、高温和温度变化。提高器件和系统的功率密度是功率半导体重要的设计目标。我们一路追求单位芯片面积的输出电流能力，实现方法是：
2022-06-13
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集成容性隔离助力高密度适配器设计
快充需求推动了高密度适配器的蓬勃发展。在实际的适配器设计中，花样繁多的新型开关功率器件、拓扑和控制方案不计其数。
2022-05-16
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Lucid Motors与Wolfspeed强强合作，在屡获殊荣的Lucid Air车型中采用SiC半导体
全球碳化硅（SiC）技术引领者 Wolfspeed, Inc. (NYSE: WOLF) 于近日宣布，与 Lucid Motors 达成重要合作。Lucid Motors 将在其高性能、纯电动车型 Lucid Air 中采用 Wolfspeed SiC 功率器件解决方案。同时，Wolfspeed 和 Lucid Motors 签订多年协议，将由 Wolfspeed 生产和供应 SiC 器件。
2022-04-28
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隔离比较器在电机系统中的应用
电机在工业领域具有广泛的应用，而电机驱动系统的趋势是高效率，高功率密度和高可靠性。功率半导体供应商不断在导通损耗和开关速度上实现突破，推出更高的电流等级、更小的封装尺寸以及更短的短路耐受时间的半导体器件。并且随着宽禁带半导体器件成本降低，也使得电机驱动系统逐步开始使用SiC,GaN器件。这些功率器件的发展及应用使得电机驱动系统的效率以及功率密度得到了提高，但也对驱动系统的可靠性，尤其过流及短路保护的响应时间提出了更高的要求。
2022-04-25
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隔离型驱动的新势力：英飞凌无磁芯变压器隔离型驱动
一提到隔离型驱动，不少硬件研发工程师就会先入为主想到光耦。可光耦真的是唯一选择吗？伴随着全球电气化和数字化的趋势，电力电子技术的发展也日新月异：功率器件开关频率进一步提高，宽禁带器件使用方兴未艾，终端应用环境更加复杂恶劣，这些都对隔离型驱动的性能和可靠性提出了全新的挑战。
2022-04-20
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从硅过渡到碳化硅，MOSFET的结构及性能优劣势对比
近年来，因为新能源汽车、光伏及储能、各种电源应用等下游市场的驱动，碳化硅功率器件取得了长足发展。更快的开关速度，更好的温度特性使得系统损耗大幅降低，效率提升，体积减小，从而实现变换器的高效高功率密度化。但是，像碳化硅这样的宽带隙（WBG）器件也给应用研发带来了设计挑战，因而业界对于碳化硅MOSFET浪涌电流、短路能力、栅极可靠性等仍心存疑虑，对于平面栅和沟槽栅的选择和权衡也往往迷惑不清。
2022-03-20
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