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功率半导体的进步实现3级直流快速充电，解决电动汽车的里程焦虑
目前，电动汽车的使用仍受到阻碍，主要在于 “里程焦虑”问题，并且车主不愿在道路上等待数小时充电时间。然而，随着全国各地部署越来越多的充电桩，“直流快速充电”有望将等待时间缩短至数分钟。这些额定功率达350 kW的大功率充电桩，必须利用最新的电源转换拓扑结构和半导体开关技术，以尽可能提高电能效来实现成本效益。本文将介绍这些大功率充电桩的典型设计方法，对功率器件的一些选择，以及最新的宽禁带半导体可带来的优势。
2021-11-03
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高功率器件驱动风向：隔离栅极驱动
D类音频功率放大器的市场需求每年以约50%的速度增长，以高性能设备为目标应用。D类音频放大器的高能效和低热性等特点支持轻薄时尚的产品设计，大功率电源还可节省成本。D类放大器满足小尺寸、低功耗、高音频输出的市场主流需求，从而成为音频类产品的中坚力量。
2021-11-03
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通用汽车与Wolfspeed达成战略供应商协议，在通用汽车未来电动汽车计划中采用SiC
2021年10月11日，美国密歇根州底特律市和北卡罗来纳州达勒姆市讯 – 通用汽车（NYSE: GM）和 Wolfspeed, Inc.（NYSE: WOLF）于近日宣布达成一项战略供应商协议，约定 Wolfspeed 为通用汽车的未来电动汽车计划开发并提供碳化硅（SiC）功率器件解决方案。Wolfspeed SiC 器件将赋能通用汽车安装更高效的电动汽车动力系统，从而扩大其快速完善的电动汽车产品组合范围。
2021-10-11
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什么情况下应该从硅片转换到宽带隙技术？
自从宽带隙 (WBG) 器件诞生以来，为功率变换应用带来了一股令人激动的浪潮。但是，在什么情况下从硅片转换到宽带隙技术才有意义呢？迄今为止，屏蔽栅极 MOSFET、超级结器件和 IGBT等基于硅的功率器件已经很好地在业界得到大规模应用。这些器件在品质因数 (FoM) 方面不断改进，加上在拓扑架构和开关机理等方面的进步，使工程师能够实现更高的系统效率。
2021-09-15
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通过AC整流桥上的有源开关提高效率
提高电源转换效率和功率密度一直是电源行业的首要目标，在过去十年中，更因功率器件、拓扑结构和控制方案的发展而取得长足的进步。超结MOSFET、SiC二极管以及最新GaN FET的发展，确保了更高频率下的更高开关效率；同时，高级拓扑及其相应控制方案的实现也在高速发展。因此，平衡导通损耗与开关损耗以实现最佳工作点，现在已完全可以实现。
2021-09-10
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X-FAB与派恩杰达成长期战略合作，共同推动全球SiC产业发展
2021年9月6日，模拟晶圆代工龙头企业X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）和国产SiC功率器件供应商派恩杰联合对外宣布，双方就批量生产SiC晶圆建立长期战略合作关系，此前双方已经合作近三年时间。
2021-09-06
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罗姆为电动汽车充电桩打造高效解决方案
全球能源短缺和大气污染问题日益严峻，汽车产业绿色低碳发展已成为降低全社会碳排放、增强国家竞争力的有效手段。作为领先的功率半导体厂商之一，罗姆一直致力于技术创新，研发各种高效、高品质的功率器件，为大功率智能充电站提供安全可靠的解决方案，在支持绿色出行的同时助力全面低碳社会的可持续发展。
2021-08-26
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IGBT模块及散热系统的等效热模型
功率器件作为电力电子装置的核心器件，在设计及使用过程中如何保证其可靠运行，一直都是研发工程师最为关心的问题。功率器件除了要考核其电气特性运行在安全工作区以内，还要对器件及系统的热特性进行精确设计，才能既保证器件长期可靠运行，又充分挖掘器件的潜力。
2021-08-23
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非隔离型栅极驱动器与功率元器件
ROHM不仅提供电机驱动器IC，还提供适用于电机驱动的非隔离型栅极驱动器，以及分立功率器件IGBT和功率MOSFET。我们将先介绍罗姆非隔离型栅极驱动器，再介绍ROHM超级结MOSFET PrestoMOSTM。
2021-08-05
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碳化硅如何为电机驱动赋能
近年来，电力电子领域最重要的发展是所谓的宽禁带（WBG）材料的兴起，即碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）。WBG材料的特性有望实现更小、更快、更高效的电力电子产品。WBG功率器件已经对从普通的电源和充电器到太阳能发电和能量存储的广泛应用和拓扑结构产生了影响。SiC功率器件进入市场的时间比氮化镓长，通常用于更高电压、更高功率的应用。
2021-08-05
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电动汽车快速充电系列文章之三：常见拓扑结构和功率器件及其他设计考虑因素
在上一节中，已经介绍了快速DCEV充电基础设施的标准配置，以及未来可能的典型基础设施。下面介绍当今快速DCEV充电器中使用的典型电源转换器拓扑结构和AC-DC和DC-DC的功率器件的概况。
2021-08-03
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SiC功率器件篇之SiC SBD
SiC能够以高频器件结构的SBD（肖特基势垒二极管）结构得到600V以上的高耐压二极管（Si的SBD最高耐压为200V左右）。
2021-05-20
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