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IGBT适用于ZVS 还是 ZCS？
提到软开关技术，大家耳熟能详的有零电压开通ZVS（Zero voltage switching） 和零电流关断ZCS（Zero current switching），同时，尤其是在现在的电源产品中，绝大多数的采用软开关拓扑的电源产品都选择了ZVS，而不是ZCS，所以，Si MOSFET和SiC MOSFET一直是很多同学提到ZVS时想到的主要功率器件搭档，而不是IGBT。
2022-10-11
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采用IGBT7的1700V Econo DUAL 3模块性能解析
半导体市场不断推动IGBT技术实现更高功率密度、鲁棒性和性能水平。对于新一代IGBT而言，始终需要能够轻松融入设计并在不同应用中表现良好的产品。IGBT应能助力打造出拥有优化系统成本的可扩展逆变器产品组合。本文通过仿真和应用测试，对英飞凌全新TRENCHSTOP™ 1700V IGBT7技术以及对应的同类最佳900A和750A EconoDUAL™ 3模块的电气性能和热性能，与英飞凌IGBT4技术进行了比较。在1700V IGBT模块特定应用背景下，考虑到了芯片优化。研究结果表明，采用新型1700V IGBT7/EC7技术的模块在大量应用中显著提高了功率密度。
2022-09-21
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TO-247封装碳化硅MOSFET中引入辅助源极管脚的必要性
功率开关器件（如MOSFET, IGBT）广泛应用于新能源汽车、工业、医疗、交通、消费等行业的电力电子设备中，直接影响着这些电力电子设备的成本和效率。因此，实现更低的开关损耗和更低的导通损耗一直是功率半导体行业的不懈追求。
2022-09-15
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ABB采用IGBT7的新一代高功率密度变频器ACS180系列
变频器是各行业中至关重要的节能设备，ABB传动一直致力于用先进的产品和技术，创新的解决方案为客户创造价值，提高生产效能水平，助力变频器产业升级。
2022-09-14
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如何抑制IGBT集电极过压尖峰
在过去的文章中，我们曾经讨论过IGBT在关断的时候，集电极会产生电压过冲的问题（回顾：IGBT集电极电压超过额定电压会发生什么？）。
2022-08-18
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SiC模块开启电机驱动器更高功率密度
牵引驱动器是电动汽车（EV）几乎所有能量的消耗源。因此，驱动系统必须尽可能提高效率，同时以最低重量占用最小空间 — 这些均旨在尽可能提高电动汽车的续航能力。随着行业利用双驱动装置提高牵引力，同时借助 800 V 架构降低了损耗，该行业还需要尺寸缩小但输出功率增加的逆变器，实现远超硅（Si）基技术（如 IGBT）能力的功率密度。
2022-08-02
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IGBT安全工作区（SOA）知多少
失效器件送到原厂做FA分析，看到的字眼通常包含over voltage，over current，short circuit，EOS等，但是，其失效的深层原因与整机的应用环境和系统设计是密切相关的。
2022-07-21
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采用IGBT7高功率密度变频器的设计实例
变频器在设计上不断的推陈出新，为了提高功率密度并降低成本，工程师更是绞尽脑汁。IGBT（绝缘栅型双极性晶体管）在变频器里属于关键器件，其选型和损耗直接关系散热器的大小，也直接影响着系统的性能、成本和尺寸。
2022-07-12
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变频器用IGBT模块的故障分析及静态测量
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
2022-06-21
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PIM模块中整流桥的损耗计算
在通用变频器或伺服驱动器的设计中，经常会用到英飞凌的PIM模块（即集成了二极管整流桥+刹车单元+IGBT逆变单元的模块）。一般情况下PIM模块中的整流二极管都是根据后面逆变IGBT的电流等级来合理配置的，且由于其多数都是连接电网工作于工频50或60Hz工况，芯片结温波动很小，因此其通常不会是IGBT PIM模块是否适用的瓶颈，所以一般在器件选型时也不会特意去计算或仿真PIM模块中整流桥部分的损耗。但有些客户的机型要满足一些特殊工况，或需要考虑模块的整体损耗来做系统的热设计，这时就需要计算整流桥的损耗。而目前我们在线仿真工具IPOSIM并不支持，所以在此介绍一种变通的计算方法，以备您不时之需。
2022-06-17
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功率半导体冷知识之二：IGBT短路时的损耗
IGBT主要用于电机驱动和各类变流器，IGBT的抗短路能力是系统可靠运行和安全的保障之一，短路保护可以通过串在回路中的分流电阻或退饱和检测等多种方式实现。
2022-06-17
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如何选取SiC MOSFET的Vgs门极电压及其影响
在IGBT时代，门极电压的选择比较统一，无非Vge=+15V/-15V或+15V/-8V或+15V/0V这几档。而在新兴的SiC MOSFET领域，还未有约定俗成的门极电压规范。本文愿就SiC MOSFET的门极电压选择上的困惑，提供些有用的参考。
2022-06-15
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