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IGBT的电流是如何定义的
IGBT的电流是器件基本参数之一，显而易见FS450R12KE4就是450A 1200V IGBT模块。这样的理解对于日常工作交流来说是足够了，但对于一位设计工程师是远远不够的，而且业内充满着误解和流言。
2021-11-29
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IGBT7与IGBT4在伺服驱动器中的对比测试
IGBT7作为英飞凌最新一代IGBT技术平台，它与IGBT4的性能对比一直是工程师关心的问题。本文通过FP35R12W2T4与 FP35R12W2T7在同一平台伺服驱动中的测试，得到了相同工况下IGBT4与IGBT7的结温对比。实验结果表明，在连续大功率负载工况与惯量盘负载工况的对比测试中，IGBT7的结温均低于IGBT4。
2021-11-26
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SRII重磅亮相CICD 2021，以先进ALD技术赋能第三代半导体产业
功率器件作为半导体产业的重要组成部分，拥有非常广泛的技术分类以及应用场景。例如，传统的硅基二极管、IGBT和MOSFET等产品经过数十年的发展，占据了绝对领先的市场份额。不过，随着新能源汽车、数据中心、储能、手机快充等应用的兴起，拥有更高耐压等级、更高开关频率、更高性能的新型SiC、GaN等第三代半导体功率器件逐渐崭露头角，获得了业界的持续关注。
2021-11-10
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无刷直流 (BLDC) 电机设计：新起点
无刷直流电机(BLDC)设计很复杂。在大量的MOSFET、IGBT和门极驱动器产品组合中开始选择电子器件(旧的起点) 是茫然无助的。
2021-10-22
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IGBT换流回路中杂散电感的测量
换流回路中的杂散电感会引起波形震荡，EMI或者电压过冲等问题。因此在电路设计的时候需要特别留意。本文给出了电路杂散电感的测量方法以及模块数据手册中杂散电感的定义方法。
2021-10-14
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什么情况下应该从硅片转换到宽带隙技术？
自从宽带隙 (WBG) 器件诞生以来，为功率变换应用带来了一股令人激动的浪潮。但是，在什么情况下从硅片转换到宽带隙技术才有意义呢？迄今为止，屏蔽栅极 MOSFET、超级结器件和 IGBT等基于硅的功率器件已经很好地在业界得到大规模应用。这些器件在品质因数 (FoM) 方面不断改进，加上在拓扑架构和开关机理等方面的进步，使工程师能够实现更高的系统效率。
2021-09-15
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仿真看世界之650V混合SiC单管的开关特性
英飞凌最近推出了系列650V混合SiC单管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD续流二极管，取代了传统Si的Rapid1快速续流二极管，配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5)，进一步优化了系统效率、性能与成本之间的微妙平衡。
2021-09-08
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大功率晶闸管参数解析之开关特性
功率二极管晶闸管广泛应用于AC/DC变换器、UPS、交流静态开关、SVC和电解氢等场合，但大多数工程师对这类双极性器件的了解不及对IGBT的了解，为此我们组织了6篇连载，包括正向特性，动态特性，控制特性，保护以及损耗与热特性。内容摘自英飞凌英文版应用指南AN2012-01《双极性半导体技术信息》。
2021-09-08
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板子上的MOSFET莫名炸机，多半是这个原因！
MOSFET、IGBT是开关电源最核心也是最容易烧坏的器件！其原因大多是过压或过流导致功耗大增，从而使器件损坏，甚至可能会伴随爆炸。而SOA安全工作区测试，就是保障其安全工作的重要测试项目！
2021-09-07
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仿真看世界之IPOSIM的散热器热阻Rthha解析
如何评估IGBT模块的损耗与结温？英飞凌官网在线仿真工具IPOSIM，是IGBT模块在选型阶段的重要参考。这篇文章将针对IPOSIM仿真中的散热器热阻参数Rthha，给大家做一些清晰和深入的解析。
2021-09-05
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IGBT模块及散热系统的等效热模型
功率器件作为电力电子装置的核心器件，在设计及使用过程中如何保证其可靠运行，一直都是研发工程师最为关心的问题。功率器件除了要考核其电气特性运行在安全工作区以内，还要对器件及系统的热特性进行精确设计，才能既保证器件长期可靠运行，又充分挖掘器件的潜力。
2021-08-23
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利用SiC FET降低电磁干扰和开关损耗
器件缓冲似乎是处理开关过冲、振铃和损耗的一种“野蛮”解决方案，而这对于诸如IGBT之类较老的技术来说确实如此。但是，宽禁带器件，尤其是SiC FET，可以将该技术用为栅极电阻调谐的优良替代方案，以提供较低的总损耗。
2021-08-20
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