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M675S02：IDT 推出最新系列低抖动 SiGe VCSO 产品
拥有模拟和数字领域的优势技术、提供领先的混合信号半导体解决方案的供应商 IDT® 公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 宣布，已推出新的低抖动硅锗（SiGe）声表面（SAW）压控振荡器（VCSO）产品系列。新的产品系列与 IDT 备受欢迎的 M675 系列和高性能计时产品组合相得益彰，采用更高频率低抖动振荡器设计，从而满足光纤电信应用的严格要求。
2012-02-29
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Mini K HV：TE推出紧凑型的预充式继电器
TE Mini K HV 支持动力电池的交换部件中的连接与切断。作为一款紧凑型的预充式继电器，Mini K HV直接在主充电继电器工作之前，就用预充电电阻取代了对滤波电容的充电，从而在浪涌电流时保护了主继电器的触点。
2012-02-29
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TI宣布其MCU可支持 ARM® 的最新 Cortex CMSIS
日前，德州仪器 (TI) 宣布其基于 Stellaris® Cortex™-M4F 内核的微控制器 (MCU) 现在可以支持 ARM® 的最新 Cortex 微控制器软件接口标准 (CMSIS)。除了 TI 的 StellarisWare® 软件套件之外，通过简化浮点、单指令多数据 (SIMD) 和数字信号处理 (DSP) 运算的可实现方案，ARM 的 CMSIS 库也将帮助开发人员实现 Stellaris LM4F 微控制器业界领先的优势。
2012-02-28
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NXP GreenChip电源IC确立低负载下效率和空载待机功耗标准
恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V. 近日宣布推出GreenChip™ SPR TEA1716开关模式电源 (SMPS) 控制器IC——这是业界首款PFC和LLC谐振组合控制器，可在低负载下实现超低待机功耗，并且符合将于2013年生效的欧盟生态设计指令的要求。公司同时宣布推出多款采用超小封装的高性价比SPF (反激式智能电源) IC，包括GreenChip SPF TEA1731以及TEA172x系列新品，这些器件均具有出色的空载性能。此外，恩智浦还推出了一款新型GreenChip同步整流 (SR) 控制IC——TEA1792。
2012-02-27
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HFP：TE的推出用于GSM850/900电源切换RF开关
TE Connectivity公司推出了用于GSM850/900的HFP开关。第三代信息和信号技术需要新的接收RF（射频）信号的电路开关。GSM（全球移动通信系统）是蜂窝网络使用最广泛的频率范围。有了HFP，TE可直接满足GSM850/900应用中从824到960MHz频段的电源切换RF开关的需求。
2012-02-24
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2012全球LTE手机竞争激烈
今年世界各地将有100多个移动电信运营商开始LTE商业运作，诺基亚，索尼移动通信和中国的中兴，华为等厂商都将推出LTE手机，这将加速2012年全球LTE手机市场竞争。
2012-02-23
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背光和照明市场需求增加缓减2012年LED供应过剩
据DisplaySearch —过去一段时间由于LED背光液晶电视销售减弱且LED照明成长缓慢，2011年LED出现了供大于求的局面，供需落差达30%。2012年，随着背光和照明的市场需求回暖，过度供应问题将得到有效缓解。根据NPD DisplaySearch季度LED供需市场预测报告Quarterly LED Supply/Demand Market Forecast Report指出，第一季度供需过剩比为19%，第二季度将进一步下降至16%。
2012-02-23
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IMF：TE推出用于零瓦电路的灵敏双稳态小尺寸继电器
TE Connectivity 公司推出用于零瓦电路的IMF继电器。如果没有像移动手机连接器之类的终端设备，零瓦充电器就会停止从电网中取电， TE的IMF是专为这样的应用而设计的，其设计是对现有AXICOM IM继电器产品线的补充。
2012-02-22
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Vishay 扩充用于功率电子的重载电容器
Vishay Intertechnology, Inc.宣布，扩充其用于功率电子的重载Vishay ESTA HDMKP电容器，增添新容值和新封装形式。
2012-02-22
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4G竞逐大戏已经开场 推广标准是关键
从3G到4G，从追随者变为游戏规则制定者，中国正一步步建立自己的移动通信标准体系。由中国主导的TD-LTE在1月18日正式成为4G国际标准，这意味着下一代移动通信标准的全球征战正式开场。但制定标准只是开始，推广标准才是关键。只有以标准为支点，占据全球竞争的制高点，从而撬动整个国家产业战略的转型升级，才是中国发展TD-LTE的意义所在。
2012-02-22
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基于EXB841的IGBT驱动与保护电路设计
多绝缘栅双极型晶体管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一种由双极型晶体管与MOSFET组合的器件，它既具有MOSFET的栅极电压控制快速开关特性，又具有双极型晶体管大电流处理能力和低饱和压降的特点，近年来在各种电能变换装置中得到了广泛应用。但是，IGBT的门极驱动电路影响IGBT的通态压降、开关时间、快开关损耗、承受短路电流能力及du/dt等参数，并决定了IGBT静态与动态特性。因此设计高性能的驱动与保护电路是安全使用IGBT的关键技术。
2012-02-21
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Digi-Key与Ramtron 签署全球经销协议
Digi-Key 公司是一家知名的电子元件经销商，被设计师们誉为业内最广泛的电子元件库，提供立即发货服务，日前宣布已经与 Ramtron International Corporation签署全球经销协议。
2012-02-20
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