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可调直流稳压电源的工作原理
可调直流稳压电源是采用当前国际先进的高频调制技术，其工作原理是将开关电源的电压和电流展宽，实现了电压和电流的大范围调节，同时扩大了目前直流电源供应器的应用。直流稳压电源[1]的控制芯片是采用目前比较成熟的进口元件，功率部件采用现国际上最新研制的大功率器件，可调直流稳压电源设计方案省去了传统直流电源因工频变压器而体积笨重。与传统电源相比高频直流电源就较具有体积小、重量轻、效率高等优点，同时也为大功率直流电源减小体积创造了条件，此电源又称高频可调式开关电源。可调直流稳压电源保护功能齐全，过压、过流点可连续设置并可预视，输出电压可通过触控开关控制。今天我就对其说一下可调直流稳压电源的工作原理，希望大家都能好好的浏览以下的内容。
2013-12-19
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线性LED驱动IC对比：盘点几款大功率LED线性驱动
如果你认为线性功率IC功耗太大，不好用，技术落后，那么你就错了！本文将几款IC与高速转换型DC-DC类型IC进行对比分析，讲解线性功率器件IC设计的一些注意要点，并盘点了几款线性恒流IC以方便大家选型。
2013-11-20
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隔离驱动IGBT功率器件设计技巧八大问
IGBT，Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等功率器件，都需要有充分的保护以避免欠压、米勒效应、缺失饱和、过载、短路造成的损害。本文通过Avago参与的八大问答讨论隔离驱动IGBT等功率器件的技巧。
2013-08-13
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富士通推出耐压150V的GaN功率器件产品，品质因数降半
富士通半导体日前宣布，推出可耐压150 V的基于硅衬底的氮化镓(GaN)功率器件芯片MB51T008A。该产品初始状态是断开(Normally-off)，相比于同等耐压规格的硅功率器件，品质因数(FOM)可降低近一半。基于富士通新型GaN功率器件，用户可以设计出体积更小，效率更高的电源组件。
2013-07-23
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SiC和GaN，新兴功率器件如何选？
新兴的SiC和GaN功率器件市场未来10年预计增长18倍，主要需求市场是电源、光伏逆变器和工业电机驱动。SiC肖特基二极管已经有10年以上历史，但SiC MOSFET、SiC JFET和SiC BJT近年才出现，GaN功率器件更是刚刚才在市场上出现。他们谁会成为未来新兴功率器件市场的主角？我们现在应该选用他们吗？
2013-06-19
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孰优孰劣:氮化镓场效应晶体管VS硅功率器件?
工程师常常认为当应用需要更高电压时，使用氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)在性能方面才更具优势。但是，如果只是考虑开关品质因数，相比先进的MOSFET器件，200V的eGaN FET器件的优势好像减弱了。GaN场效应晶体管与硅功率器件中低压降压转换器应用中的性能到底怎样？且听本文细细分解。
2013-05-16
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电源转换新时代的来临：IR开始商业装运GaN器件
IR在业内率先商业付运可大幅提高现有电源转换系统效率的GaN功率器件，预示着电源效率革命性改善新时代的到来。相比当今最先进的硅功率器件技术，氮化镓技术平台能够将客户的电源应用的性能指数(FOM)提升10倍。
2013-05-15
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硅功率MOSFET前景堪忧？
30年前硅功率MOSFET的出现使市场快速接受开关电源，硅功率MOSFET成为很多应用的必选功率器件。近些年来，MOSFET不可避免地进入到性能瓶颈期；然而与此同时，增强型GaN HEMT器件在开关性能和整个器件带宽有突破性改善，迅速占领市场。硅功率MOSFET在电源转换领域的发展已经走到尽头了吗？
2013-05-15
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第三讲：基于MOSFET的高能效电源设计
通过结合改进的电源电路拓扑和概念与改进的低损耗功率器件，开关电源行业在提高功率密度、效率和可靠性方面，正在经历革新性发展。MOSFET是中低电压电源应用的首选功率器件，可以提高沟槽密度，并无需JFET阻抗元件，因此能够使特征导通阻抗降低30%左右，降低同步整流的能量损耗，极大的提高了电源能效。
2013-05-14
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通过建立优化模型和目标函数实现电化学整流电源电联接
电化学整流电源是一种高耗能设备，提高整流效率、降低额外损耗是这类电力电子变换装置的一个重要的课题。随着大功率器件制造水平的提高以及压接工艺技术的改进，均流问题也不再突出，所以从效率、损耗方面进行优化设计是必要的。
2013-01-07
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无Y电容的充电器变压器补偿设计方法
在开关电源中，功率器件高频导通/关断的操作导致的电流和电压的快速变化而产生较高的电压及电流尖峰是产生EMI的主要原因。通常情况下，系统前端要加滤除器和Y电容，Y电容的存在会使输入和输出线间产生漏电流，具有Y电容的金属壳手机充电器会让使用者有触电的危险，因此，一些手机制造商开始采用无Y电容的充电器，然而，去除Y电容会给EMI的设计带来困难，本文将介绍无Y电容的充电器变压器补偿设计方法。
2012-12-18
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GaN压力来袭，降低成本是SiC器件大规模商用的前提
受限于价格过高等因素，迄今为止各种SiC功率器件产品系列的实际应用都很少。随着降低环境负荷的要求日益提高，传统Si材料功率器件的局限性越来越突出。新一代材料SiC功率器件具有体积小、高效率、高耐温等优点，受到越来越多的重视，研发生产日益活跃。然而，SiC器件何时才会实现大规模商用，成为业界关注的焦点。
2012-12-13
- 国产滤波技术突破：金升阳FC-LxxM系列实现宽电压全场景覆盖
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