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集成理想二极管、源选择器和eFuse有助于增强系统鲁棒性
理想二极管使用低导通电阻功率开关（通常为MOSFET）来模拟二极管的单向电流行为，但没有二极管的压降损失。借助额外的背靠背MOSFET和控制电路，该解决方案可以提供更多的系统控制功能，例如优先源选择、限流、浪涌限制等。在传统解决方案中，这些功能分散在不同的控制器中，因此实现完整的系统保护会很复杂且麻烦。这里我们将研究理想二极管的主要电路规格，并介绍一个应用示例和新的理想二极管解决方案，该解决方案还在单个IC中集成了实现整体系统保护所需的其他功能。
2023-12-18
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MOS非理想性对VLSI电路可靠性的影响
在快速 VLSI 电路中，晶体管每秒开关数百万次。在开关过程中，被称为“热载流子”的高能载流子（电子或空穴）很容易注入并捕获在栅极氧化物中。这种热载流子注入会导致栅极氧化物中出现杂质，从而改变器件的 I-V 特性。
2023-12-14
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泰克助力汽车测试及质量监控实现效率和创新最大化
对于功率器件工程师而言，最大限度降低开关损耗是一项严峻挑战，尤其对于那些使用碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 器件的工程师更是如此。这种先进材料有望提高效率，但也有其自身的复杂性。测量硅 (Si)、碳化硅 (SiC) 和氮化镓金属氧化物半导体场效应晶体管 (GaN MOSFET) 和绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 的开关参数，并评估其动态行为的标准方法是双脉冲测试 (DPT)。
2023-12-05
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面向汽车应用的智能电子保险丝 提高48 V电气系统架构安全性
由于在轻型混合动力车辆中集成了48 V电气系统和48 V标准，因而需要重新评估过流或短路保护，因为在48 V（电源电压）下，继电器触点之间的距离要求大于12 V 电压下情形，才能熄灭保护继电器开关时产生的电弧。这会导致延迟关断和加速触点磨损。
2023-11-30
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如何优化SiC栅级驱动电路？
对于高压开关电源应用，碳化硅或 SiC MOSFET 与传统硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有显著优势。SiC MOSFET 很好地兼顾了高压、高频和开关性能优势。它是电压控制的场效应器件，能够像 IGBT 一样进行高压开关，同时开关频率等于或高于低压硅 MOSFET 的开关频率。之前的文章中，我们介绍了SiC MOSFET 特有的器件特性。今天将带来本系列文章的第二部分SiC栅极驱动电路的关键要求和NCP51705 SiC 栅极驱动器的基本功能。
2023-11-29
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消除“间隙”：力敏传感器如何推动新颖的HMI设计
我们用来与系统或机器交互的控制装置已经发生了巨大变化；从起初电话机上的旋转拨号盘、开关，或用于开车门的实体钥匙，曾经粗陋的设备现已转变为更为时尚、直观的用户界面，让我们能够与机器无缝连接。这篇文章将探讨人机界面（HMI）如何彻底改变我们与技术的交互模式。
2023-11-27
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NPC2三电平拓扑横管过压保护开关逻辑
NPC2三电平拓扑因为其效率高，谐波含量低，在光伏逆变器设计中应用非常广泛。由下图可以看到，NPC2由四个开关管构成，包含竖管T1/T4，横管T2/T3。
2023-11-25
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eFuse在汽车域控制器架构中如何提供更智能的保护？
汽车应用的电气化和自动化趋势推动了域控制器的兴起，用以减轻线缆重量并将车辆架构简化为多个局部化的电源中心。设计人员可以利用这种新兴架构，将传统保险丝和机械继电器替换为更紧凑的电子保险丝 (eFuse)，以提供更先进的保护功能，包括故障情况下更快速、更准确的响应。eFuse 将保护和开关功能集成到单个小尺寸封装中。
2023-11-25
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利用IO-Link实现小型高能效工业现场传感器
无论过去还是现在，在许多情况下，工业传感器都是使用模拟型。其中包含检测元件，以及将检测数据传输至控制器的某种方式。数据采用单向模拟方式进行传输。之后出现了二进制传感器，该传感器提供数字开/关信号，包含检测元件（电感、电容、超声波、光电等）和半导体开关元件。
2023-11-24
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如何利用电压输入到输出控制自动优化LDO稳压器的效率
低压差(LDO)稳压器是为噪声敏感设备供电的可靠工具。除了提供直接电源轨外，LDO稳压器还能对其他电源进行后置调节。来自开关转换器的噪声会渗透到许多设计中，通常需要下游LDO稳压器来消除噪声。LDO稳压器虽然有效，但其功耗可能对系统效率产生负面影响。专门设计的电压输入到输出控制(VIOC)引脚可通过单一连接降低功耗并提高效率。VIOC引入了对开关转换器的自动控制，可使系统实现出色效率。本文重点介绍一款超低噪声LDO稳压器，其性能优于无VIOC的LDO稳压器。
2023-11-22
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pHEMT功率放大器的有源偏置解决方案
假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)是耗尽型器件，其漏源通道的电阻接近0 Ω。此特性使得这些器件可以在高开关频率下以高增益运行。然而，如果栅极和漏极偏置时序不正确，漏极沟道的高电导率可能会导致器件烧毁。本文探讨耗尽型pHEMT射频(RF)放大器的工作原理以及如何对其有效偏置。耗尽型场效应晶体管(FET)需要负栅极电压，并且必须小心控制开启/关断的时序。文中将介绍并比较固定栅极电压和固定漏极电流电路。我们还将仔细研究这些偏置电路的噪声和杂散对RF性能有何影响。
2023-11-22
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如何赋能新一代宽带隙半导体？这三类隔离栅极驱动器了解一下~
在电力电子领域，为了最大限度地降低开关损耗，通常希望开关时间短。然而快速开关同时隐藏了高压瞬变的危险，这可能会影响甚至损坏处理器逻辑。因此，必须设计更高性能的开关驱动系统。
2023-11-21
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