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新型功率开关技术和隔离式栅极驱动器不断变化的格局
基于碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等材料的新型功率开关技术的出 现促使性能大幅提升，超越了基于MOSFET和IGBT技术的传统系 统。更高的开关频率将减小元件尺寸，从而减小成本、系统尺 寸和重量；这些是汽车和能源等市场中的主要优势。新型功率 开关还将促使其控制元件发生变化，其中包括栅极驱动器。本 文将探讨GaN和SiC开关与IGBT/MOSFET的一些主要差异，以及栅 极驱动器将如何为这些差异提供支持。
2020-08-04
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如何利用IGBT技术实现反并联二极管的正确设计？
反并联二极管的正确设计需要考虑各种因素。其中一些与自身技术相关，其它的与应用相关。但是，正向压降Vf 、反向恢复电荷Qrr 以及Rth与Zth散热能力 终将构成一种三角关系。
2020-07-27
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安森美将为丹佛斯提供用于逆变器牵引模块的大功率器件
2020年7月7日 — 推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON)和丹佛斯宣布，公司将为丹佛斯硅动力(Danfoss Silicon Power)供应大功率IGBT和二极管，应用于快速增长的电动汽车市场的逆变器牵引模块。
2020-07-07
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集成自举二极管和快速过流保护的600V三相栅极驱动器加速了三相电机应用
三相电机运行需要三相逆变器，其一般组成为：6个功率晶体管（MOSFETs或IGBTs）、控制晶体管的栅极驱动器（一个或多个）、实现控制算法（速度、转矩控制等）的控制逻辑电路（微控制器或微处理器）。
2020-06-29
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如何实现IGBT/MOSFET隔离栅极驱动电路？
IGBT 和功率 MOSFET 是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件，栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET 的另外两端是源极和漏极，而对于 IGBT，它们被称为集电极和发射极。为了操作 MOSFET/IGBT，通常须将一个电压施加于栅极。
2020-03-26
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MOS管和IGBT管到底区别在哪？该如何选择？
在电子电路中，MOS 管和 IGBT 管会经常出现，它们都可以作为开关元件来使用，MOS 管和 IGBT 管在外形及特性参数也比较相似，那为什么有些电路用 MOS 管？而有些电路用 IGBT 管？
2020-03-18
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趣味解读IGBT模块“续流二极管”
IGBT 模块上有一个“续流二极管”。它有什么作用呢？答：当 PWM 波输出的时候，它是维持电机内的电流不断用的。
2020-03-11
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还在用硅基器件做开关电源？是时候考虑eGaN了
本文首先介绍相比基于传统硅 (Si) MOSFET 或 IGBT 的高频电源，基于 eGaN 开关元器件的高频电源优势。接着会介绍如何使用 EPC、Texas Instruments 和 Navitas Semiconductor的 eGaN 功率级来构建适用于电池充电或服务器农场等应用的 SMPS 设计。
2020-02-26
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IGBT 的工作原理是什么?
IGBT 的等效电路如图1 所示。由图1 可知,若在IGBT 的栅极和发射极之间加上驱动正电压,则MOSFET 导通,这样PNP 晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通;若IGBT 的栅极和发射极之间电压为0V,则MOSFET 截止,切断PNP 晶体管基极电流的供给,使得晶体管截止。
2020-02-24
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分析IGBT短路保护电路的设计
固态电源的基本任务是安全、可靠地为负载提供所需的电能。对电子设备而言，电源是其核心部件。负载除要求电源能供应高质量的输出电压外，还对供电系统的可靠性等提出更高的要求。
2020-02-24
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MOSFET和IGBT栅极驱动器电路的基本原理
从 MOSFET 技术和开关运行概述入手，详细介绍接地参考和高侧栅极驱动电路的设计流程，以及交流耦合和变压器隔离解决方案。该报告还包含了一个特殊部分，专门介绍在同步整流器应用中 MOSFET 的栅极驱动应用的重要性。
2020-01-17
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一文解读碳化硅功率器件的特点
功率半导体器件作为功率变换系统的核心器件，目前应用最多的仍旧是 IGBT，在很多时候还需要搭配合适的反向并联二极管。
2020-01-08
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