现实与理想的差异，对于功率器件的主要要求包括：

 

✦低导通电压(低导通电阻)

✦低漏电流

✦能够以最小的电流 / 电压进行快速切换

这些与导通损耗、关断损耗和开关损耗有着直接的关系。除此之外，

✦较大的安全工作区域(鲁棒性)和可靠性也是极为重要！

 

而在这些方面，SiC 表现出了巨大的发展潜力。

 

2、电场强度、导通电阻

下图是相同击穿电压下 SiC 和 Si 的单侧突变结中的电场分布：

 

 

 

可见，SiC 的击穿电场强度是 Si 的 10 倍左右，所以 SiC 功率器件中的电压阻挡层的厚度可以是 Si 器件中的 1/10。并且其掺杂浓度也可以高出两个数量级，因此在任何给定的阻断电压下，SiC 代替 Si 的单极器件中可以将漂移层的电阻降低 2~3 个数量级。

 

这一特点对于高压场合显得尤为重要，漂移层电阻 Rdrift 与阻断电压 VB 的(2~2.5,这个系数需要综合考虑来确定)成比例，并且也是觉得器件总导通电阻 Ron 的主要因素。

 

没有内置电压的功率器件的导通损耗 Pon，由 Ron*J²on 决定，其中 Jon 是导通电流密度(在额定电流下一般为 100~300A/cm²)。因此，SiC 器件极低的抗漂移性有助于降低导通损耗。

 

下图是 Si 和 SiC 单极器件的最小导通电阻(漂移层电阻)相对于阻断电压的曲线：

 

 

 

最小导通电阻我们可以由下式得出：

 

Rdrift=4VB²/(ηεμEB³)

 

其中，ε、μ和 EB 分别是介电常数、迁移率和击穿场强；η是室温下掺杂剂的电离率(“2 次方”是上文提到的系数)。

 

在轻掺杂的 n 型 SiC 中，由于氮供体相对较浅，η约为 0.85~1.0。这对于宽带隙半导体尤为重要，在宽带隙半导体中经常会观察到掺杂剂的不完全电离，实际上，由于室温下铝受体的空穴迁移率较低并且离子化率小，所以 p 型 SiC 肖特基二极管和功率 MOS 无法与 Si 基竞争。

 

3、"快速"切换

SiC 功率器件的另一个重要特点就是快速切换，反向恢复小，能够满足更高的频率。中高压应用中，Si 基的双极型器件通过少数载流子的注入，电导率调制能够显著的降低导通电阻。但是，双极型器件存在少数载流子存储的原因，导致开关速度较慢以及关断操作中的反向恢复大。而，这些应用中，SiC 单极器件由于导通电阻很低并且不存在少数载流子存储，可以成为较理想的选择。SiC 双极型器件也可以提供快速切换，因为电压阻挡区的厚度薄了约 10 倍(上面提到过)，与 Si 的双极型器件相比，该区域中存储的电荷相应地小了约 10 倍。

 

4、高结温和工艺技术

由于带隙宽和化学稳定性，使用 SiC 器件的设备可以在高温(＞250℃)下运行，这一点在当下的应用中无疑十分吸引人，更高的温度上限可以优化散热装置，而 SiC 器件本身甚至可以在 500℃或更高的温度下运行。

 

而封装技术是 SiC 功率器件发展的另一个重要问题。

 

比如，由于掺杂剂在 SiC 中极小的扩散常数，通过扩散工艺进行杂质掺杂很难实现，所以一般通过外延生长或者离子注入来进行掺杂；

在 SiC 中，即使在高温活化退火之后，高密度的深能级和扩展的缺陷仍保留在离子注入区以及注入尾部内，这导致注入结附近的载流子寿命很短(＜0.1us)，这不利于双极型器件，所以有效的载流子注入和扩散是必不可少的。

 

所以，SiC 双极型器件中的 pn 结仅通过外延生长来制造，但是对于制造 SBD 和 MOSFET 之类的 SiC 单极器件，由于其通过注入结可以获得几乎理想的击穿特性，并且单极器件的正常工作中并不涉及载流子注入，所以离子注入比较有用。

 

(掺杂等可以查看之前的推送)

 

5、更高的电压等级

下图是 Si 基和 SiC 基的单极 / 双极型功率器件的电压等级分布：

 

 

 

对于 Si 基功率器件，单极和双极器件的分界线在 300~600V，而在 SiC 功率器件中，这个边界向后移动了大约 10 倍的阻断电压，即几 kV。预计 SiC 将在 300V~6500V 的阻断电压范围内替代 Si 的双极型器件，并且 SiC 的双极型器件在 10kV 以上的超高压应用中也是"魅"不可挡。

 

可见，SiC 的发展不仅在于其本身的特性，还在于外部因素的适配。当然，随着时间的推移，这些都将会逐一解决！