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隔离驱动IGBT功率器件设计技巧八大问
IGBT，Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等功率器件，都需要有充分的保护以避免欠压、米勒效应、缺失饱和、过载、短路造成的损害。本文通过Avago参与的八大问答讨论隔离驱动IGBT等功率器件的技巧。
2013-08-13
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富士通推出耐压150V的GaN功率器件产品，品质因数降半
富士通半导体日前宣布，推出可耐压150 V的基于硅衬底的氮化镓(GaN)功率器件芯片MB51T008A。该产品初始状态是断开(Normally-off)，相比于同等耐压规格的硅功率器件，品质因数(FOM)可降低近一半。基于富士通新型GaN功率器件，用户可以设计出体积更小，效率更高的电源组件。
2013-07-23
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SiC和GaN，新兴功率器件如何选？
新兴的SiC和GaN功率器件市场未来10年预计增长18倍，主要需求市场是电源、光伏逆变器和工业电机驱动。SiC肖特基二极管已经有10年以上历史，但SiC MOSFET、SiC JFET和SiC BJT近年才出现，GaN功率器件更是刚刚才在市场上出现。他们谁会成为未来新兴功率器件市场的主角？我们现在应该选用他们吗？
2013-06-19
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孰优孰劣:氮化镓场效应晶体管VS硅功率器件?
工程师常常认为当应用需要更高电压时，使用氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)在性能方面才更具优势。但是，如果只是考虑开关品质因数，相比先进的MOSFET器件，200V的eGaN FET器件的优势好像减弱了。GaN场效应晶体管与硅功率器件中低压降压转换器应用中的性能到底怎样？且听本文细细分解。
2013-05-16
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电源转换新时代的来临：IR开始商业装运GaN器件
IR在业内率先商业付运可大幅提高现有电源转换系统效率的GaN功率器件，预示着电源效率革命性改善新时代的到来。相比当今最先进的硅功率器件技术，氮化镓技术平台能够将客户的电源应用的性能指数(FOM)提升10倍。
2013-05-15
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硅功率MOSFET前景堪忧？
30年前硅功率MOSFET的出现使市场快速接受开关电源，硅功率MOSFET成为很多应用的必选功率器件。近些年来，MOSFET不可避免地进入到性能瓶颈期；然而与此同时，增强型GaN HEMT器件在开关性能和整个器件带宽有突破性改善，迅速占领市场。硅功率MOSFET在电源转换领域的发展已经走到尽头了吗？
2013-05-15
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第三讲：基于MOSFET的高能效电源设计
通过结合改进的电源电路拓扑和概念与改进的低损耗功率器件，开关电源行业在提高功率密度、效率和可靠性方面，正在经历革新性发展。MOSFET是中低电压电源应用的首选功率器件，可以提高沟槽密度，并无需JFET阻抗元件，因此能够使特征导通阻抗降低30%左右，降低同步整流的能量损耗，极大的提高了电源能效。
2013-05-14
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通过建立优化模型和目标函数实现电化学整流电源电联接
电化学整流电源是一种高耗能设备，提高整流效率、降低额外损耗是这类电力电子变换装置的一个重要的课题。随着大功率器件制造水平的提高以及压接工艺技术的改进，均流问题也不再突出，所以从效率、损耗方面进行优化设计是必要的。
2013-01-07
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无Y电容的充电器变压器补偿设计方法
在开关电源中，功率器件高频导通/关断的操作导致的电流和电压的快速变化而产生较高的电压及电流尖峰是产生EMI的主要原因。通常情况下，系统前端要加滤除器和Y电容，Y电容的存在会使输入和输出线间产生漏电流，具有Y电容的金属壳手机充电器会让使用者有触电的危险，因此，一些手机制造商开始采用无Y电容的充电器，然而，去除Y电容会给EMI的设计带来困难，本文将介绍无Y电容的充电器变压器补偿设计方法。
2012-12-18
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GaN压力来袭，降低成本是SiC器件大规模商用的前提
受限于价格过高等因素，迄今为止各种SiC功率器件产品系列的实际应用都很少。随着降低环境负荷的要求日益提高，传统Si材料功率器件的局限性越来越突出。新一代材料SiC功率器件具有体积小、高效率、高耐温等优点，受到越来越多的重视，研发生产日益活跃。然而，SiC器件何时才会实现大规模商用，成为业界关注的焦点。
2012-12-13
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MOS晶体管
金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-SEMIconductor)结构的晶体管简称MOS晶体管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，而PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为CMOS-IC。MOS栅极控制晶闸管充分地利用晶闸管良好的通态特性、优良的开通和关断特性，可望具有优良的自关断动态特性、非常低的通态电压降和耐高压，成为将来在电力装置和电力系统中有发展前途的高压大功率器件。目前世界上有十几家公司在积极开展对MCT的研究。 MOS栅控晶闸管主要有三种结构：MOS场控晶闸管（MCT）、基极电阻控制晶闸管(BRT)及射极开关晶闸管(EST)。
2012-12-13
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电子负载仪简介
电子负载，顾名思义，是用电子器件实现的“负载”功能，其输出端口符合欧姆定律。具体地说，电子负载是通过控制内部功率器件MOSFET或晶体管的导通量，使功率管耗散功率，消耗电能的设备。
2012-11-30
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