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MOS晶体管

金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-SEMIconductor)结构的晶体管简称MOS晶体管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，而PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为CMOS-IC。MOS栅极控制晶闸管充分地利用晶闸管良好的通态特性、优良的开通和关断特性，可望具有优良的自关断动态特性、非常低的通态电压降和耐高压，成为将来在电力装置和电力系统中有发展前途的高压大功率器件。目前世界上有十几家公司在积极开展对MCT的研究。 MOS栅控晶闸管主要有三种结构：MOS场控晶闸管（MCT）、基极电阻控制晶闸管(BRT)及射极开关晶闸管(EST)。

2012-12-13
电子负载仪简介

电子负载，顾名思义，是用电子器件实现的“负载”功能，其输出端口符合欧姆定律。具体地说，电子负载是通过控制内部功率器件MOSFET或晶体管的导通量，使功率管耗散功率，消耗电能的设备。

2012-11-30
富士通明年量产氮化镓功率器件

富士通半导体明年计划量产氮化镓功率器件，满足高效电源单元供应市场需求，可使服务器电源单元实现2.5kW的高输出功率，这些器件可广泛用于电源增值应用。

2012-11-22
GaN在电子器件的应用

为了满足产品小型化、低功耗的要求，电子元器件也在进行着新一代的变革，用GaN材料制作的电子元器件日益受到各厂家的关注。富士通科技也宣布，将于2013年量产GaN功率器件。

2012-11-21
科锐碳化硅功率器件, 可降低总体系统成本

科锐推出新型碳化硅高频率功率模组，新型高频率模组额定电流100A，额定阻断电压1200V，可实现更高效、更小尺寸及更轻重量的系统，相比传统的硅技术可以帮助降低总体系统成本。

2012-11-19
可实现2.5kW电源GaN功率器件

【导读】富士通半导体量产可实现2.5kW电源的硅基板GaN功率器件，意在在电源装置领域实现优化应用，并在电路设计方面给予技术支持，为开发多种用途的低损失、小型电源装置提供支持。

2012-11-13
关于功率二极管的15个小问题

【导读】二极管的额定电流是二极管的主要标称值，比如5A/100V的二极管，5A就是额定电流。通常额定电流的定义是该二极管所能通过的额定平均电流。但是有些的测试前是方波，也就是可以通过平均值为5A的方波电流。有些得测试前提是直流，也就是能通过5A的直流电流。 1. 什么是二极管的正向额定电流? 二极管的额定电流是二极管的主要标称值，比如5A/100V的二极管，5A就是额定电流。通常额定电流的定义是该二极管所能通过的额定平均电流。但是有些的测试前是方波，也就是可以通过平均值为5A的方波电流。有些得测试前提是直流，也就是能通过5A的直流电流。理论上来说，对于硅二极管，以方波为测试条件的二极管能通过更大的直流电流，因为同样平均电流的方波较于直流电流，会给二极管带来更大损耗。那么5A的二极管是否一定能通过5A的电流?不一定，这个和温度有关，当你的散热条件不足够好，那么二极管能通过的电流会被结温限制。、 2. 什么是二极管的反向额定电压? 二极管反向截止时，可以承受一定的反压，那么其最高可承受的反压就是额定电压。比如5A/100V的二极管，其额定反压就是100V。虽然，所有二极管厂家都会留一定的裕量，100V的二极管通常用到110V都不会有问题，但是不建议这么用，因为超过额定值，厂家就不会保证其可靠性，出了问题就是你的问题了。而且很多电源设计公司，为了保障可靠性，还会降额设计。 3. 什么是二极管的正向冲击电流? 开关电源在开机或者其他瞬态情况下，需要二极管能够承受很大的冲击电流而不坏，当然这种冲击电流应该是不重复性，或者间隔时间很长的。通常二极管的数据手册都有定义这个冲击电流，其测试条件往往是单个波形的冲击电流，比如单个正弦波，或者方波。其电流值往往可达几百。 4. 什么是二极管的正向导通压降? 二极管在正向导通，流过电流的时候会产生压降。这个压降和正向电流以及温度有关。通常硅二极管，电流越大，压降越大。温度越高，压降越小。但是碳化硅二极管却是温度越高，压降越大。 5. 什么是二极管的反向漏电流? 二极管在反向截止的时候，并不是完全理想的截止。在承受反压得时候，会有些微小的电流从阴极漏到阳极。这个电流通常很小，而且反压越高，漏电流越大，温度越高，漏电流越大。大的漏电流会带来较大的损耗，特别在高压应用场合。 6. 什么是二极管的反向恢复时间和反向恢复电流? 这个是二极管的重要指标，所谓的快恢复，慢恢复二极管就是以此为标准。二极管在从正偏转换到反偏的时候，会出现较大的反向恢复电流从阴极流向阳极，其反向电流先上升到峰值，然后下降到零。那么其上升下降的时间就是反向恢复时间，峰值电流就是反向恢复电流。这个在高频率的应用中会带来很大损耗。而反向恢复时间和电流和二极管截止时，正向电流的下降速率正相关。解决这个问题，一就是用恢复时间更快的二极管，二是采用ZCS方式关断二极管。 7. 什么是软恢复二极管? 二极管在反向恢复的时候，反向电流下降的比较慢的，称为软恢复二极管。软恢复对减小EMI有一定的好处。 8. 什么是二极管的结电容? 结电容是二极管的一个寄生参数，可以看作在二极管上并联的电容。 9. 什么是二极管的寄生电感? 二极管寄生电感主要由引线引起，可以看作串联在二极管上的电感。 10. 二极管正向导通时候瞬态过程是怎样? 对于二极管的瞬态过程，通常关心比较多的是反向恢复特性。但是其实二极管从反偏转为正向导通的过程也有值得注意的地方。在二极管刚导通的时候，正向压降会先上升到一个最大值，然后才会下降到稳态值。而这个最大值，随di/dt的增大而增大。也就是说二极管带导通瞬间会产生一个正向尖峰电压，而且电压要大于稳态电压。快恢复管的这个正向尖峰电压比较小，慢恢复管就会很严重。这个就引出了另外一个问题： 11. 在RCD钳位电路中，二极管到底选慢管，还是快管? RCD电路常用于一些需要钳位的场合，比如flyback原边MOS的电压钳位，次级整流管的电压钳位。有些技术文献说应该用慢恢复管，理由是慢恢复管由于其反向恢复时间比较长，这样钳位电容中的一部分能量会在二极管反向恢复过程中回馈给电路，这样整个RCD电路的损耗可以降低。不过这个只适合小电流，低di/dt的场合。比如小功率flyback的原边钳位电路。但是不适合大电流，高di/dt的钳位场合，比如大电流输出的电源的次级钳位电路。因为，慢恢复管在导通的时候会产生很高导通压降尖峰，导致虽然钳位电容上的电压很低，但是却没法钳住尖峰电压。所以应该选择肖特基二极管之类。 12. 什么是肖特基二极管? 肖特基二极管是一种利用肖特基势垒工艺的二极管，和普通的PN结二极管相比，其优点：更快的反向恢复时间，很多称之为0反向恢复时间。虽然并不是真的0反向恢复时间，但是相对普通二极管要快非常多。其缺点：反向漏电流比较大，所以没法做成高压的二极管。目前的肖特基二极管,基本都是200V以下的。虽然有些公司可以提供高压的肖特基硅二极管，但是也是将几个二极管串联之后封装在一起。当然也有公司称有独特的工艺，可以制造高压肖特基二极管，但并不知晓是什么样的工艺。 13. 什么是碳化硅二极管? 通常大家所用的基本都是以硅为原料的二极管，但是最近比较热门的碳化硅二极管是用碳化硅为原料的二极管。目前常见的多为高压的肖特基碳化硅二极管，其优点：反向恢复特性很好，媲美肖特基硅二极管。但是可以做高压的二极管。在PFC中已有较多应用。缺点：正向导通压降比较大。还有一点与硅二极管不同的是其导通压降随温度上升反而增大。早期的碳化硅二极管，还有可承受冲击电流小，可靠性不高等缺点。但是目前已有很大改善。 14. 什么是砷化镓二极管? 说实话，我听说砷化镓材料早于碳化硅，但是后来就较少听说了。目前砷化镓在LED上似乎有些应用，但是功率器件上却还比较少。 15. 二极管适合并联么? 理论上来说硅二极管，由于导通压降随温度上升而下降，所以是不适合并联的，但是现在很多二极管会把两个单管封装在一起，这样温升相对均匀，给并联带来好处。但是碳化硅是的压降是随温度上升而上升，理论上是适合并联的。

2012-10-31
智能功率器件的原理与应用

据小编了解目前，功率器件正朝着集成化、智能化和模块化的方向发展。智能功率器件为机电一体化设备中弱电与强电的连接提供了理想的接口。下面小编来介绍了智能功率器件的特点、工作原理及典型应用。

2012-10-26
什么是功率器件？

功率器件在电力电子电路的重要组成部门，本文将学习功率器件的相关知识，从什么是功率器件到功率器件的分类，再到其特性，最后到其选型技巧。旨在帮助电力电子设计初学者认识和掌握功率器件的选型和应用。

2012-10-25
完美结合耐用性、频率范围与宽带能力射频功率晶体管

为了满足市场对射频功率器件增强耐用性和在广泛的频率范围进行宽带运行的需求，飞思卡尔半导体公司推出了两款功能丰富的器件，旨在为采用LDMOS处理技术制造的射频功率产品提供新级别的线性和耐用性。

2012-10-23
TE针对HEV/EV的电路保护方案

汽车设计中越来越多的功率器件和高数据速率连接使得人们更加迫切地需要可靠、具有成本效益的电路保护解决方案。TE针对HEV|EV的电路保护方案系统从功率电子、可替代的电源系统、汽车联网进行分享。

2012-06-05
车用MOSFET如何寻求性能与保护的最佳组合

工程师在为汽车电子设计电源系统时可能会遇到在设计任何电源应用时都会面临的挑战。因为功率器件MOSFET必须能够承受极为苛刻的环境条件。环境工作温度超过120℃会使器件的结点温度升高，从而引发可靠性和其它问题。在极端环境下(如引擎盖下面的汽车电子应用)，温度的迅速上升会使MOSFET意外导通，致使阈值电压接近零伏。

2012-05-29

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