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一文看懂IGBT相关知识
IGBT(绝缘栅双极型晶体管），是由 BJT(双极结型晶体三极管) 和 MOS(绝缘栅型场效应管) 组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件,其具有自关断的特征。本文将为大家详细介绍IGBT相关知识。
2019-08-12
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如何选择一款合适的隔离式栅极驱动器？
在功率电子(例如驱动技术)中，IGBT经常用作高电压和高电流开关。这些功率晶体管由电压控制，其主要损耗产生于开关期间。为了最大程度减小开关损耗，要求具备较短的开关时间。
2019-06-26
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详解变频器IGBT模块的静态测量
IGBT绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
2019-05-16
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识别MOS管和IGBT管的方法
MOS管和IGBT管作为现代电子设备使用频率较高的新型电子器件，因此在电子电路中常常碰到也习以为常。可是MOS管和IGBT管由于外形及静态参数相似的很，有时在选择、判断、使用容易出差池。以下为大家介绍识别MOS管和IGBT管的方法。
2019-05-09
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开关电源该如何配置合适的电感？
开关电源（SMPS）是一种非常高效的电源变换器，其理论值更是接近100%，种类繁多。按拓扑结构分，有Boost、Buck、Boost-Buck、Charge-pump等；按开关控制方式分，有PWM、PFM；按开关管类别分，有BJT、FET、IGBT等。本次讨论以数据卡电源管理常用的PWM控制Buck、Boost型为主。 那接下来就让我们一起学习下开关电源该如何配置合适的电感吧~
2019-03-14
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应用于线性区功率MOSFET：di/dt和dv/dt分开控制方法
以下将本文介绍的di/dt、dV/dt分开单独控制方法，不仅适用于负载开关，还广泛用于电机控制功率MOSFET或IGBT驱动电路。
2018-12-29
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解析三菱电机6.5kV全SiC功率模块
本文介绍了6.5kV新型全SiC MOSFET功率模块的内部结构和电气特性，相对于传统的Si IGBT模块、传统全SiC MOSFET功率模块，新型全SiC MOSFET功率模块在静态特性、动态特性和损耗方面优势明显。
2018-09-14
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负电压电源设计的种类
各位工程师在设计电路时，可能会遇到需要负电压供电的系统，例如使用负电压为IGBT提供关断负电压、运放系统中用正负对称的偏置电压供电。那么该如何产生一个稳定可靠的负电压呢？本文将为你介绍不同的解决方案。
2018-09-07
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如何借助雪崩二极管提供过压保护？
当IGBT在高性能应用中高速接通和断开时，总会发生过压。例如，当关闭负载电流电路时，集电极发射极电压突然上升，达到非常高的峰值。由开关引起的过电压会严重损坏甚至破坏开关晶体管。
2018-08-01
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【揭秘】隔离式栅极驱动器
IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极，而对于IGBT，它们被称为集电极和发射极。
2018-07-24
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堪称工业中的“CPU”：IGBT，中外差距有多大
IGBT(绝缘栅双极型晶体管），是由 BJT(双极结型晶体三极管) 和 MOS(绝缘栅型场效应管) 组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件,其具有自关断的特征。简单讲，是一个非通即断的开关，IGBT没有放大电压的功能，导通时可以看做导线，断开时当做开路。IGBT融合了BJT和MOSFET的两种器件的优点，如驱动功率小和饱和压降低等。
2018-07-18
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详解MOSFET与IGBT的本质区别
本文将对一些参数进行探讨，如硬开关和软开关ZVS (零电压转换) 拓扑中的开关损耗，并对电路和器件特性相关的三个主要功率开关损耗—导通损耗、传导损耗和关断损耗进行描述。此外，还通过举例说明二极管的恢复特性是决定MOSFET 或 IGBT导通开关损耗的主要因素，讨论二极管恢复性能对于硬开关拓扑的影响。
2018-07-13
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