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全面分析IGBT各种知识点
IGBT(绝缘栅双极型晶体管），是由 BJT(双极结型晶体三极管) 和 MOS(绝缘栅型场效应管) 组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件，其具有自关断的特征。简单讲，是一个非通即断的开关。
2019-12-03
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新型SiC功率模块以之Si IGBT，在更小的封装内提供更高的功率密度
随着包括发电、储能和交通运输在内的众多应用转向电力驱动，需要构建更高性能的电力转换和控制系统，推进以电力驱动的系统的未来发展。为此，对于更紧凑、更高功率密度和可高温工作电源模块的需求变得越来越大。
2019-11-08
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详解隔离式栅极驱动器的重要特性
在功率电子（例如驱动技术）中，IGBT经常用作高电压和高电流开关。这些功率晶体管由电压控制，其主要损耗产生于开关期间。
2019-09-29
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IGBT的开关频率上限有多高？
首先，开关频率是指IGBT在一秒钟内开关次数。而在确定的母线电压和导通电流下，IGBT每次开关都会产生一定的损耗，开通损耗是Eon，关断损耗是Eoff，还有二极管反向恢复也有损耗Erec。
2019-09-23
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一文看懂IGBT相关知识
IGBT(绝缘栅双极型晶体管），是由 BJT(双极结型晶体三极管) 和 MOS(绝缘栅型场效应管) 组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件,其具有自关断的特征。本文将为大家详细介绍IGBT相关知识。
2019-08-12
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如何选择一款合适的隔离式栅极驱动器？
在功率电子(例如驱动技术)中，IGBT经常用作高电压和高电流开关。这些功率晶体管由电压控制，其主要损耗产生于开关期间。为了最大程度减小开关损耗，要求具备较短的开关时间。
2019-06-26
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详解变频器IGBT模块的静态测量
IGBT绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
2019-05-16
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识别MOS管和IGBT管的方法
MOS管和IGBT管作为现代电子设备使用频率较高的新型电子器件，因此在电子电路中常常碰到也习以为常。可是MOS管和IGBT管由于外形及静态参数相似的很，有时在选择、判断、使用容易出差池。以下为大家介绍识别MOS管和IGBT管的方法。
2019-05-09
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开关电源该如何配置合适的电感？
开关电源（SMPS）是一种非常高效的电源变换器，其理论值更是接近100%，种类繁多。按拓扑结构分，有Boost、Buck、Boost-Buck、Charge-pump等；按开关控制方式分，有PWM、PFM；按开关管类别分，有BJT、FET、IGBT等。本次讨论以数据卡电源管理常用的PWM控制Buck、Boost型为主。 那接下来就让我们一起学习下开关电源该如何配置合适的电感吧~
2019-03-14
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应用于线性区功率MOSFET：di/dt和dv/dt分开控制方法
以下将本文介绍的di/dt、dV/dt分开单独控制方法，不仅适用于负载开关，还广泛用于电机控制功率MOSFET或IGBT驱动电路。
2018-12-29
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解析三菱电机6.5kV全SiC功率模块
本文介绍了6.5kV新型全SiC MOSFET功率模块的内部结构和电气特性，相对于传统的Si IGBT模块、传统全SiC MOSFET功率模块，新型全SiC MOSFET功率模块在静态特性、动态特性和损耗方面优势明显。
2018-09-14
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负电压电源设计的种类
各位工程师在设计电路时，可能会遇到需要负电压供电的系统，例如使用负电压为IGBT提供关断负电压、运放系统中用正负对称的偏置电压供电。那么该如何产生一个稳定可靠的负电压呢？本文将为你介绍不同的解决方案。
2018-09-07
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