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圣邦微电子同步降压转换器SGM61230，为抗击极限过载而生
SGM61230是圣邦微电子推出的一颗输入电压4.5V至28V、连续输出电流3A的同步降压转换器，包括两个集成开关场效应管、内部回路补偿和内部5ms软启动，有效减少元件使用数量。跳频模式用来实现最大化轻载效率和降低功率损耗；66mΩ高侧N沟道MOSFET的逐周期电流限制功能可以保护过载条件下的转换器，并通过36mΩ低侧MOSFET续流电流限制功能来防止电流失控。
2020-12-04
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碳化硅FET推动了电力电子技术的发展
碳化硅（SiC）JFET是一种晶体管类型，它提供单位面积上最低的导通电阻RDS（on），是一种性能稳定的器件。与传统的MOSFET器件相比，JFET不易发生故障，适合断路器和限流应用。例如，如果你用1毫安的电流偏置一个JFET的栅极，并监控栅极电压Vgs，见图1，你可以监控器件的温度，因为Vgs随温度线性降低。此属性对于需要功率场效应管（Sic JFET）的功率模块应用程序特别有用，它可以监视其自身的运行状况。
2020-11-03
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场效应管是什么？场效应管工作原理
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET））简称场效应管。主要有两种类型：结型场效应管（junction FET—JFET）和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。
2020-07-14
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三相1200V/450A SiC MOSFET电动汽车智能功率模块
越来越多的领先电动汽车制造商正在将碳化硅（SiC MOSFET）功率场效应管用于牵引逆变器，其中有些还采用了非传统的分立器件封装。但是，目前很难找到针对电动机驱动而优化的 SiC 功率模块来适配不同的应用。更进一步，将快速开关的 SiC 功率模块与栅极驱动器、去耦及水冷等整合为驱动总成，还要面对一些新的挑战。
2020-06-16
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场效应管和晶闸管的区别
场效应管和晶闸管都是电子电路中常用的开关型器件，但是两者存在本质的区别。场效应管包括结型场效应管JFET和金属-氧化物半导体场效应管MOSFET。而晶闸管一般是指可控硅，可控硅按照导通方向可以分为单向可控硅SCR和双向可控硅Triac。
2020-04-09
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详细为你讲解场效应管电路图符号
场效应管英文缩写为FET（Field-effect transistor），是一种高输入阻抗的电压控制型半导体。场效应管也是一种晶体三极管，也有三个极，分别叫源极S，栅极G，漏极D。
2019-12-11
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场效应管就是一个电控开关？！
场效应管在mpn中，它的长相和我们常面讲的三极管非常像，所以有不少修朋友好长时间还分不清楚，统一的把这些长相相同的三极管、场效应管、双二极管、还有各种稳压IC统统称作“三个脚的管管”，如果这样麻木不分的话，你的维修技术恐怕很难快速提高的哦！
2019-12-04
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全面分析IGBT各种知识点
IGBT(绝缘栅双极型晶体管），是由 BJT(双极结型晶体三极管) 和 MOS(绝缘栅型场效应管) 组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件，其具有自关断的特征。简单讲，是一个非通即断的开关。
2019-12-03
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如何选择三极管和场效应管？看这篇就够了
随着电子设备升级换代的速度，大家对于电子设备性能的标准也愈来愈高，在某些电子设备的电路设计与研发中，不仅是开关电源电路中，也有在携带式电子设备的电路中都是会运用到性能更好的电子元器件——场效应晶体管。
2019-11-21
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详述电路中VCC、VDD、VEE和VSS的区别
DCpower一般是指带实际电压的源，其他的都是标号(在有些仿真软件中默认的把标号和源相连的)VDD:电源电压(单极器件);电源电压(4000系列数字电路);漏极电压(场效应管)VCC：电源电压(双极器件);电源电压(74系列数字电路);声控载波(VoiceControlledCarrier)VSS:地或电源负极VEE：负电压供电;场效应管的源极(S)VPP：编程/擦除电压。
2019-11-13
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看动图，学MOS管原理
绝缘型场效应管的栅极与源极、栅极和漏极之间均采用SiO2绝缘层隔离，因此而得名。又因栅极为金属铝，故又称为MOS管。
2019-09-20
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详解场效应管放大电路的直流偏置电路
晶体管构成的放大器要做到不失真地将信号电压放大，就必须保证晶体管的发射结正偏、集电结反偏。即应该设置它的工作点。
2019-09-11
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