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第18讲：SiC MOSFET的动态特性

SiC MOSFET的阈值电压（VGS(th)）通常低于Si IGBT。降低阈值电压可降低SiC MOSFET的通态电阻。驱动SiC MOSFET需要对栅极施加负偏压，并仔细设计控制电路布线，这是为了防止噪声干扰引起的故障。此外，阈值电压随着温度升高而降低（图1），因此建议在高温运行期间检查是否有异常。

2025-04-07
第15讲：高压SiC模块封装技术

SiC芯片可以高温工作，与之对应的连接材料和封装材料都需要相应的变更。三菱电机高压SiC模块支持175℃工作结温，其封装技术相对传统IGBT模块封装技术做了很大改进，本文带你详细了解内部的封装技术。

2025-02-14
功率器件热设计基础（十三）——使用热系数Ψth(j－top)获取结温信息

功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。

2025-01-24
IGBT并联设计指南，拿下！

大功率系统需要并联 IGBT来处理高达数十千瓦甚至数百千瓦的负载，并联器件可以是分立封装器件，也可以是组装在模块中的裸芯片。这样做可以获得更高的额定电流、改善散热，有时也是为了系统冗余。部件之间的工艺变化以及布局变化，会影响并联器件的静态和动态电流分配。

2025-01-24
第14讲：工业用NX封装全SiC功率模块

三菱电机开发了工业应用的NX封装全SiC功率模块，采用低损耗SiC芯片和优化的内部结构，与现有的Si-IGBT模块相比，显著降低了功率损耗，同时器件内部杂散电感降低约47%。

2025-01-24
IGBT的并联知识点梳理：静态变化、动态变化、热系数

大功率系统需要并联 IGBT来处理高达数十千瓦甚至数百千瓦的负载，并联器件可以是分立封装器件，也可以是组装在模块中的裸芯片。这样做可以获得更高的额定电流、改善散热，有时也是为了系统冗余。部件之间的工艺变化以及布局变化，会影响并联器件的静态和动态电流分配。系统设计工程师需要了解这些，才能设计出可靠的系统。

2025-01-16
功率器件热设计基础（十二）——功率半导体器件的PCB设计

功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。

2025-01-14
IGBT 模块在颇具挑战性的逆变器应用中提供更高能效

制造商和消费者都在试图摆脱对化石燃料能源的依赖，电气化方案也因此广受青睐。这对于保护环境、限制污染以及减缓破坏性的全球变暖趋势具有重要意义。电动汽车 (EV) 在全球日益普及，众多企业纷纷入场，试图将商用和农业车辆 (CAV) 改造成由电力驱动。

2025-01-08
栅极驱动器选得好，SiC MOSFET高效又安全

硅基MOSFET和IGBT过去一直在电力电子应用行业占据主导地位，这些应用包括不间断电源、工业电机驱动、泵以及电动汽车（EV）等。然而，市场对更小型化产品的需求，以及设计人员面临的提高电源能效的压力，使得碳化硅（SiC）MOSFET成为这些应用中受欢迎的替代品。

2025-01-06
功率器件热设计基础（八）——利用瞬态热阻计算二极管浪涌电流

功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。

2024-12-25
功率器件热设计基础（六）——瞬态热测量

功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。

2024-12-09
安森美荣获2024年亚洲金选车用电子解决方案供应商奖及年度最佳功率半导体奖

智能电源和智能感知技术的领导者安森美再次荣膺电子行业资深媒体集团ASPENCORE颁发的2024亚洲金选奖（EE Awards Asia)之车用电子解决方案供应商奖，彰显其在车用领域的卓越表现和领先地位。同期，安森美第 7 代 1200V QDual3 IGBT功率模块获得年度最佳功率半导体奖，基于新的场截止第 7 代 (FS7) IGBT 技术带来出色的效能表现获得业界肯定。

2024-12-06

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