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Vishay发布业内最低导通电阻功率MOSFET用于手持电子设备
SiA444DJT在2mmx2mm占位面积内具有N沟道MOSFET当中最低的外形；SiA429DJT是具有最低导通电阻且高度只有0.8mm的P沟道器件
2011-03-16
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SiR870DP/Si4190DY：Vishay推出100V N沟道TrenchFET®功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出两款新的100V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiR870DP和Si4190DY。SiR870DP和Si4190DY使用了Vishay的新型 ThunderFET®技术，在具有4.5V电压等级的100V MOSFET中具有业内最低的导通电阻。此外，该器件的导通电阻与栅极电荷乘积也是同类产品中最佳的，该数值是衡量DC/DC转换器应用中MOSFET性能的优值系数(FOM)。
2011-03-10
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PLT系列：Vishay推出增强型精密低TCR薄膜电阻
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出增强型PLT系列精密低TCR薄膜电阻，将容差降至±0.01%。在-55℃～+125℃的温度范围内，这些器件具有低至±5ppm/℃的标准TCR。
2011-03-09
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104 PHL-ST：Vishay推出超长使用寿命的铝电容器用于医疗设备
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新系列螺旋式接线柱功率铝电容器---104 PHL-ST。该款电容器在+105℃下的使用寿命长达5000小时，在+105℃下的额定纹波电流高达34.8A，提供从35mm x 60mm至90mm x 220mm的11种外形尺寸。
2011-03-07
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SiA923EDJ：Vishay 推出最低导通电阻双芯片P沟道器件用于手持设备
日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，推出新款双芯片20V P沟道第三代TrenchFET®功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面积的热增强型PowerPAK® SC-70封装，具有8V栅源电压和迄今为止双芯片P沟道器件所能达到的最低导通电阻。
2011-03-03
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WSMS2908：Vishay推出Power Metal Strip®仪表分流电阻
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款Power Metal Strip®仪表分流电阻--- WSMS2908，在业内首次采用可直接焊到PCB板上的传感引线，无需昂贵的柔性引线。在2908尺寸的封装内，WSMS2908实现了3W功率和100 μΩ的极低阻值。
2011-02-25
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V系列：Vishay推出可满足更低电压需求的红外接收器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，为其TSOP 红外系列接收器中的10种产品推出新的“V”低压电源选项，扩充其光电子产品组合，以满足电池供电的消费产品对更低工作电压的需求。在低至2V的电源电压和+5℃～+85℃的温度范围内工作时，V系列器件始终能够保持稳定的灵敏度等级。
2011-02-24
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DG408：Vishay推出高可靠性模拟复用器应用于国防领域
日前，长期为军工和航天客户提供高可靠性分立IC器件的供应商Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出8通道单端模拟复用器高可靠性DG408，扩充其按照MIL-PRF-38535规范进行筛选的模拟开关和复用器系列。
2011-02-18
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VSLY5850：Vishay发布具有极高辐射强度的红外发射器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布， 推出采用抛物线型透镜实现±3°极窄半强角的新款850nm红外发射器--- VSLY5850，扩充其光电子产品组合。基于独特的表面发射器芯片技术，VSLY5850在100mA驱动电流下可提供高达600mW/sr的辐射强度、55mW的光功率和10ns的开关时间。
2011-02-14
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Vishay推出精密高功率薄膜贴片电阻用于医疗成像
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新的PHP系列精密高功率薄膜贴片电阻。这些器件具有低至±25ppm/℃的绝对TCR，低至±0.1%的容差，在-55℃～+125℃的宽温范围内具有1.0～2.5W的高功率等级。
2011-01-28
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VBUS053CZ-HAF：Vishay推出新款USB-OTG总线端口保护阵列用于HDMI
近日，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出具有低电容和低泄漏电流的新款ESD保护阵列---VBUS053CZ-HAF，能够保护USB-OTG端口免受瞬态电压信号的影响。在5.5V的工作范围内，新的VBUS053CZ-HAF可为3条线路提供USB ESD保护，在28V工作范围内对一条VBUS线路提供保护。
2011-01-26
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SiA427DJ：Vishay 推出P沟道器件最低导通电阻TrenchFET®功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，推出新款8V P沟道TrenchFET® 功率MOSFET---SiA427DJ。新器件采用2mm x 2mm占位面积的热增强型PowerPAK® SC-70封装，具有迄今为止P沟道器件所能达到的最低导通电阻。
2011-01-25
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