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第二讲：以开关电源为例讲电磁骚扰如何抑制
开关电源性能的好坏直接影响设备或系统的正常运行，开关电路是开关电源的核心，开关电路在高频下的通、断过程产生大幅度的电压跳变，即产生的dv/dt具有较大幅度的脉冲，频带较宽且谐波丰富，是开关电源电磁骚扰的主要因素。抑制开关电路的电磁骚扰已成为提高开关电源性能的主要途经。
2012-12-20
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医疗电子中的电容应该如何选型？
电子医疗器械中，需要对电源进行高精度的控制和调节，才能支持设备执行每一功能。交、直流电源均被广泛应用于这些场合。电容可用来减少纹波并吸收开关稳压器产生的噪声，它还可以用于后级稳压，提高设备的稳定性和瞬态响应能力。
2012-12-20
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电源效率从10%提高到80%，电源管理怎么做？
飞速发展到今天，我们看到已有数十种不同类型的开关调节器加入了电源管理行列，电源效率已从先前的10%提高到如今的80%，甚至更高。由此产生了广泛的影响：对于便携式设备，电池续航时间更长;对于高功率系统，能源使用和加热/冷却的成本明显降低。
2012-12-20
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什么是隧道二极管？
隧道二极管，又称为江崎二极管，它是以隧道效应电流为主要电流分量的晶体二极管。隧道二极管是采用砷化镓（GaAs）和锑化镓（GaSb）等材料混合制成的半导体二极管，具有负阻特性，其优点是开关特性好，速度快、工作频率高；缺点是热稳定性较差。一般应用于某些开关电路或高频振荡等电路中。隧道二极管还具有小功耗和低噪声等特点。
2012-12-20
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专为3G和LTE基础设施开发的超高隔离SPDT射频开关
RFSW6124 是一款采用对称设计可实现超高隔离的SPDT射频开关。该GaAs pHEMT 开关的典型应用包括蜂窝基站和其他要求高线性度和功率处理能力的通信系统。RFSW6124 采用非反射架构为在闭合状态下实现端口，并为全闭合状态提供了启动接脚。开关控制为 3V 和 5V 正逻辑兼容。
2012-12-19
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一种具有过载和短路保护的车载电源系统的开关电源设计
本文提出了一种具有过载和短路保护的车载电源系统的开关电源设计方案。该方案采用单端反激式结构实现42VDC/12VDC的转换，输出电压稳定，波纹小，不间断，性能可靠且电源损耗小。
2012-12-19
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什么是面接触型二极管？
面接触二极管是利用扩散、多用合金及外延等掺杂方法，实现P型半导体和N型半导体直接接触而形成PN结的。面接触二极管PN结的接触面积大，可以通过较大的电流，适用于大电流整流电路或在脉冲数字电路中作开关管。因其结电容相对较大，故只能在较低的频率下工作，在集成电路中可作电容用。如2CPl为面接触型硅二极管，最大整流电流为40OmA，最高工作频率只有3kHz。
2012-12-19
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无Y电容的充电器变压器补偿设计方法
在开关电源中，功率器件高频导通/关断的操作导致的电流和电压的快速变化而产生较高的电压及电流尖峰是产生EMI的主要原因。通常情况下，系统前端要加滤除器和Y电容，Y电容的存在会使输入和输出线间产生漏电流，具有Y电容的金属壳手机充电器会让使用者有触电的危险，因此，一些手机制造商开始采用无Y电容的充电器，然而，去除Y电容会给EMI的设计带来困难，本文将介绍无Y电容的充电器变压器补偿设计方法。
2012-12-18
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如何测试单芯锂离子的线性IC充电器
单芯锂离子的线性IC充电器其效率仍能与开关模式充电器相比。线性充电器亦提供一些额外的优点。它们几乎不产生 EMI（电磁干扰），它们不需要电感，并且它们需要的电容器数也少于开关模式充电器。
2012-12-18
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TDK新款1005 尺寸EMC 对策开关电源，现已量产
TDK开发出新款1005 尺寸EMC 对策元件——开关电源，该器件额定电压 25V、ESR 1,000mΩ、0.1μF ，在不降低功率效率的情况下，实现开关电源的振铃对策。通过这一个元件，可以实现电容器、电阻缓冲电路、去耦电容器这3个元件构成的功能，现已开始量产。
2012-12-17
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第五讲：RCD尖峰脉冲吸收电路参数计算举例
临近岁末，《电子元件技术网》为培养社区顶级设计工程师而精心打造的造星平台---大讲台将为大家带来一波又一波的惊喜，最新推出的是社区技术专家陶显芳老师倾情打造的最新贺岁力作：单激式开关电源漏感与分布电容对输出波形的影响，以及RCD尖峰脉冲吸收电路参数的计算实例。本站将分五讲为大家披露单激式开关电源的设计诀窍。
2012-12-16
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压电元件与霍尔元件的区别？
压电元件利用材料的压电效应(见石英晶体)制成的器件。大多数压电器件的结构由电极、压电片、支架和外壳组成。霍尔元件是应用霍尔效应的半导体。一般用于电机中测定转子转速,如录象机 的磁鼓,电脑中的散热风扇等;是一种基于霍尔效应的磁传感器,已发展成一个品种多样的磁传感器产品族，并已得到广泛的应用位移量测量、磁场测量、接近开关以及限位开关电路中。
2012-12-16
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