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Si7625DN：Vishay推出30V P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET
日前，Vishay推出首款采用PowerPAK® 1212-8封装的30V P沟道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- Si7625DN，用于笔记本电脑、上网本和工业/通用系统中的适配器、负载和电池开关，该器件的导通电阻是最低的还可以减小电压降。
2010-05-07
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Li电池充电器CC-CV充电测试
由于锂离子电池充电过程需要一小时或更长时间，利用实际负载测试锂电池充电器将非常耗时，而且往往不切实际。为了加快电池充电器测试，本文介绍了一个简单电路，用来模拟锂离子电池。该电路提供了一个不使用实际电池对锂电池充电器进行测试的有效手段。
2010-05-06
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产业分析：我国太阳能电池业发展趋势
中国的太阳能电池产量以迅猛之势持续扩大，2009年达到4382MW，估计超过全球的40％。关于已成全球第一大生产国，且今后仍将继续扩大的中国太阳能电池产业的情况，笔者将根据在中国的采访定期予以报道。本文打算通过2010年3月在上海举行的“SOLARCONChina2010”展会及其并设的会议，为读者解读中国太阳能电池产业的现状和今后的发展方向。
2010-05-05
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CMIC：薄膜电池发展投资超晶硅电池7-8倍
“薄膜电池成本比晶硅电池成本低，但动辄数亿元投资却是晶硅电池的7—8倍，再加上在生产过程中同步产生的技术成本、设备成本、运输成本，其整体成本相比晶硅电池并不具有明显优势，甚至会做亏本。”有关人士透露，目前薄膜电池的转化效率平均在10%左右，相比晶硅电池的17%—20%，还有一定距离。
2010-05-05
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iSuppli：太阳能电池板跌价 PV系统建量今年将增至136亿瓦
iSuppli近日骤然上调今(2010)年内，太阳电光能(Photovoltaic，PV)系统的预期建置量，并表示先前太阳能电池板价格暴跌，估计在德国的销售量将因此向上激增。
2010-05-04
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EFC4612R/EFC4615R：三洋上市锂离子电池充放电保护电路用MOSFET
三洋半导体上市了可供手机锂离子电池组（1～2个电池单元）等使用的充放电保护电路用MOS FET新产品“EFC4612R/EFC4615R”。该产品在4个焊球的BGA封装上各封装了一个放电用和一个充电用FET。与该公司2年前推出的首款BGA封装产品（EFC4601R）相比，此次产品（EFC4612R）的封装面积减小了39％，封装高度降低了33％
2010-04-30
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嵌入式系统常规电源设计
对于电池供电的便携设备而言，除了需要突破处理能力的限制外，便携式系统电源的性能也需要不断改进。本文探讨便携嵌入式系统电源设计的注意事项以及设计中应遵循的准则。这些原则对任何具有强大功能且必须以电池供电的便携嵌入式系统电源设计都是有帮助的。根据本文描述的构造模块，读者可以为特定设计选择合适的器件以及设计策略。
2010-04-30
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太阳能电池爆发性普及期即将到来
与市电同价的太阳能很可能加快引进在工厂和其他企业设施中，使它得以符合或超过日本政府的“2020年以前28GW，2030年以前53GW”的目标。日本新能源产业技术综合开发机构（NEDO）推出的太阳能电池采用预测（如出版PV2030）中预估在2030年前将安装高达201.8GW容量。
2010-04-30
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日立麦克赛尔将供货采用硅类负极材料的锂离子充电电池
该公司的硅类负极材料的特点是，含有将粒径仅为nm大小的硅分散于非结晶SiO（氧化硅）内的“纳米硅复合体”（图1）。而非结晶SiO可缓和硅的膨胀及缩小程度。实际上是利用碳覆盖SiO的粒子表面，以提高导电性，然后与原来的负极材料——石墨混合起来利用。
2010-04-29
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HDI系列:Sensortechnics推出3V电池的高精度压力传感器
Sensortechnics推出3-V电池的高精度压力传感器，HDI系列压力传感器能够测量的绝对、差分或规表压力,测量范围从10 mbar到高达5 bar，3Vdc工作电源，使其适用于电池供电的手提或手持设备中。该传感器实现了精准数字信号调理和在0°~85°C范围内实现总误差带(TEB)优于±0.5% FSS的精度。
2010-04-29
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超级电容下一步挑战：提高工作电压
超级电容的应用版图不断地持续扩展，因为超级电容能提供比电池更高的瞬间功率。其重要的应用包括在手机上供给闪光灯所需的瞬间功率，并接受电池再充电，能延长通话时间与电池寿命，还能为工程师节省设备空间和成本。
2010-04-26
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国产太阳能电池告别“千人一面”的装扮
太阳能电池从单色变彩色，是太阳能电池研发的一项重要突破。中电48所研发出的晶体硅系列高效彩色太阳能电池，量产平均转换效率在17.5%以上，达到目前大规模生产的太阳电池转化效率。
2010-04-23
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