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LTE智能手机差异化设计点:基带平台
下一代智能手机的竞争焦点将集中于LTE(4G),而LTE也成为手机芯片大厂逐鹿的新战场。在高通、ST-Ericsson之后,博通也宣布跨入LTE芯片市场,加上联发科明年的第一代产品亮相,LTE手机平台大战将一触即发。本文进行LTE基带平台的盘点和展望。
2012-12-29
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苹果获Micro SIM连接器专利 延续标准大战
据Patentlyapple网站报道,苹果Micro SIM(微型SIM卡)专利昨日获得正式批准。此项专利能帮助用户更方便地拔插SIM卡,在用户插入不当时也可以保证设备不会受损,同时提供了可靠的机械性能。
2012-12-28
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中科院研制出可提升中国国产IC的竞争力的MOSFET组件
中科院电子研究所在N型和P型 MOS 电容上取得了 EOT≦8.5 、漏电流降低3个数量级以及金属闸主动功函数距硅晶能隙距离≦0.2eV的成果,成功研发出组件性能进一步提升的22nm MOSFET 组件。
2012-12-28
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在LVDS 接口中加入TVS保护,防止静电干扰
LVDS 数据线连接广泛应用于高速数据信号传输,例如,在商用打印机或者LCD 面板 与转接板的连接。这些应用需要TVS保护是由于使用了敏感的IC 器件,因此在信号线增加的TVS要方便走线。
2012-12-28
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完全符合汽车级ESD与EMI要求的双向器件如何设计?
汽车级IC中采用新型三维箝位器件来整合鲁棒性。通过确定互补“T”形与孤岛有效区域,以控制高电平注入再生反馈期间的电子驱动或空穴驱动电流增益,可以最佳状态实现高保持电压双向闭锁箝位。箝位器件已集成至信号调理应用,完全符合汽车级ESD与EMI要求。
2012-12-28
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EPB
EPB是Electrical Park Brake的缩写,电子驻车制动系统代替了传统的机械杠杆和轮胎钢索,能为司机提供更好的帮助,说白了就是取代传统拉杆手刹的电子手刹按钮. 比传统的拉杆手刹更安全,不会因驾驶者的力度而改变制动效果,把传统的拉杆手刹变成了一个触手可及的按钮。此系统也释放了前排座间的空间,在大多数汽车中,这部分空间有其他的用途。在电子驻车制动系统中,制动力可调节,从而与纵向倾斜度设置的需求相匹配。汽车启动或加速时,按下按钮它会自动释放锁住刹车。
2012-12-28
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苹果正式获Micro SIM卡连接器专利
近日,苹果正式获得了一项有关Micro SIM卡连接器的专利,能帮助用户更方便地拔插SIM卡,在用户插入不当时也可以保证设备不会受损,同时提供了可靠的机械性能。
2012-12-27
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具有限流检测功能、过热保护功能和软启动功能的开关稳压器
圣邦微电子提供可耐压38V的新款非同步降压开关稳压器。该产品具有周期轮询限流检测功能、过热保护功能和软启动功能,以及可以规避由于输入电压不稳带来的系统误操作的欠压锁定功能。带散热焊盘的SOIC-8封装,可以极大改善整个芯片的散热能力。
2012-12-27
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如何用一只无缓冲CMOS六反相器做出测试仪器?
本文讨论了如何用一种六反相器IC做出四种测试件:一个有良好定义逻辑电压窗口的逻辑笔,输入阻抗约为1MΩ;一个开路测试仪,上限电阻可以从几十欧到几十兆欧;一个单脉冲或脉冲串注入器或简单的信号发生器;还有一个是高阻音频探头。使用一只4069中的六个反相门、两或三只电阻,以及少许无源元件, 就可以做出这些测试仪器。
2012-12-27
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GaN耐压600V产品亮相,SiC功率元件开发加快
进入2012年后,SiC功率元件的开发也在加快,最先行动的是罗姆,,科锐及三菱电机则紧跟其后。GaN功率元件在2012年也有长足进步,已有耐压600V的GaN功率晶体管产品亮相,2013年相关行动将更为活跃。
2012-12-26
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罗姆首款无需肖特基势垒二极管的SiC-MOS模块已开始量产
通常,为了实现大电流化,一般采用增加MOSFET使用数量等方法来实现,但这需要整流元件即二极管配套使用,因此长期以来很难保持小型尺寸。罗姆近日成功开发出无需整流元件—二极管的SiC功率模块,支持1200V/180A,大幅降低逆变器电力损耗,现已开始量产。
2012-12-26
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高功率的前端PD接口控制器的设计电路
Microsemi的前端PD接口控制器提供通信市场上的最高水平的功率,内置0.3Ω隔离开关和浪涌电流限制器,此装置可实现更广泛的覆盖率为PoE通信应用,包括户外IP摄像机和显示器。
2012-12-26
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