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第16讲：SiC SBD的特性
SiC SBD具有高耐压、快恢复速度、低损耗和低漏电流等优点，可降低电力电子系统的损耗并显著提高效率。适合高频电源、新能源发电及新能源汽车等多种应用，本文介绍SiC SBD的静态特性和动态特性。
2025-03-03
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三安与意法半导体重庆8英寸碳化硅晶圆合资厂正式通线
服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体 (STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码：STM) ，和中国化合物半导体龙头企业（涵盖LED、碳化硅、光通信、RF、滤波器和氮化镓等产品）三安光电（上海证券交易所代码：600703）今日宣布，双方在重庆设立的8英寸碳化硅晶圆合资制造厂（即“安意法半导体有限公司”，以下简称安意法）现已正式通线。这一里程碑标志着意法半导体和三安正朝着于2025年年底前实现在中国本地生产8英寸碳化硅这一目标稳步迈进，届时将更好地满足中国新能源汽车、工业电源及能源等市场对碳化硅日益增长的需求。
2025-02-27
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全民智驾热潮下，ADAS系统对电源芯片的四大需求
南芯科技在 ADAS 电源芯片领域早有布局，并于去年发布了单芯片车载摄像头 PMIC 系列，通过安全高效的电源管理提升 ADAS 系统摄像头的稳定性与可靠性。其中，SC6201Q 已于去年实现规模量产，符合 ASIL-B 功能安全标准要求的 SC6205Q 和 SC6206Q 也已步入规模量产阶段，持续为 ADAS 应用保驾护航。
2025-02-26
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贸泽电子与Amphenol联合推出全新电子书探索连接技术在电动汽车和电动垂直起降飞行器中的作用
注于推动行业创新的知名新品引入 (NPI) 代理商™贸泽电子 (Mouser Electronics) 宣布与Amphenol合作推出全新电子书《9 Experts Discuss the Role of Connectivity in e-Mobility》（9位专家探讨连接技术在电动出行中的作用），深入探讨电动汽车中的连接和传感器技术。书中，来自交通运输行业和Amphenol的专家针对支持当今纯电动/混合动力汽车 (EV/HEV) 以及电动垂直起降 (eVTOL) 飞行器独特需求的技术与策略提供了深度见解。
2025-02-22
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英飞凌推出采用Q-DPAK和TOLL封装的全新工业CoolSiC MOSFET 650 V G2
电子行业正在向更加紧凑而强大的系统快速转型。为了支持这一趋势并进一步推动系统层面的创新，全球功率系统、汽车和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）正在扩展其CoolSiC MOSFET 650 V单管产品组合，推出了采用Q-DPAK和TOLL封装的两个全新产品系列。
2025-02-21
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意法半导体为数据中心和AI集群带来更高性能的云光互连技术
服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体 (STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码:STM) 推出了新一代专有硅光技术，为数据中心和 AI 集群带来性能更高的光互连解决方案。随着 AI 计算需求的指数级增长，计算、内存、电源以及这些资源的互连都面临着性能和能效的挑战。意法半导体新推出的硅光技术和新一代 BiCMOS 技术可以帮助云计算服务商和光模块厂商克服这些挑战。计划从 2025 年下半年开始，800Gb/s 和 1.6Tb/s 光模块将逐步提升产量。
2025-02-21
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第 4 代碳化硅技术：重新定义高功率应用的性能和耐久性
本白皮书重点介绍 Wolfspeed 专为高功率电子应用而设计的第 4 代碳化硅 (SiC) MOSFET 技术。基于在碳化硅创新领域的传承，Wolfspeed 定期推出尖端技术解决方案，重新定义行业基准。在第 4 代发布之前，第 3 代碳化硅 MOSFET 凭借多项重要设计要素的平衡，已在广泛用例中得到验证，为硬开关应用的全面性能设定了基准。
2025-02-20
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可再生电力：道达尔能源将在15年内为意法半导体法国供电1.5亿千瓦时
道达尔能源公司 (TotalEnergies) 与服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体 (STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码:STM) 签署了一份实体购电协议，为意法半导体位于法国的工厂供应可再生电力，这份为期十五年的合同于 2025 年 1 月生效，总购电量为 1.5 亿千瓦时 (TWh)。
2025-02-18
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功率半导体驱动电源设计（一）综述
工业应用中，功率半导体的驱动电源功率不大，设计看似简单，但要设计出简单低成本的电路并不容易。这就需要一个集成度高，外围器件少，功率密度高的DCDC辅助电源方案，减小线路板面积，这对避免受干扰，提高可靠性也有帮助。这是开发EiceDRIVER™ Power 2EP系列的背景。
2025-02-18
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设计高压SIC的电池断开开关
DC总线电压为400 V或更大的电气系统，由单相或三相电网功率或储能系统（ESS）提供动力，可以通过固态电路保护提高其可靠性和弹性。在设计高压固态电池断开连接开关时，需要考虑一些基本的设计决策。关键因素包括半导体技术，设备类型，热包装，设备坚固性以及在电路中断期间管理电感能量。本文讨论了选择功率半导体技术的设计注意事项，并为高压，高电流电池断开开关定义了半导体包装，以及表征系统寄生电感和过度流动保护限制的重要性。
2025-02-16
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如何测量PMIC的PSRR
PSRR是一个重要参数，可评估LDO在输入电源中的变化中保持一致输出电压的能力。在输入电源体验波动的情况下，实现高PSRR至关重要，从而确保输出电压的可靠性。下图1说明了测量PSRR的一般方法。
2025-02-16
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第15讲：高压SiC模块封装技术
SiC芯片可以高温工作，与之对应的连接材料和封装材料都需要相应的变更。三菱电机高压SiC模块支持175℃工作结温，其封装技术相对传统IGBT模块封装技术做了很大改进，本文带你详细了解内部的封装技术。
2025-02-14
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