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IRFBxxxxPBF：IR全新基准高电流MOSFET
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出具有高封装电流额定值的全新沟道型HEXFET功率MOSFET系列，适用于工业用电池、电源、高功率DC马达及电动工具。
2008-12-19
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IHLP-2020CZ-11：Vishay最新薄型、高电流电感器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布推出采用 2020 封装尺寸的新型IHLP薄型、高电流电感器 --- IHLP-2020CZ-11。这款小型 IHLP-2020CZ-11 器件具有 3.0mm 的超薄厚度、宽泛的电感范围及低 DCR。
2008-12-18
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Zinc Air Prismatic：劲量最新推出高性能电池
近日，电池厂商Energizer(劲量)宣布将在明年的International CES上发布一款高能量电池- Zinc Air Prismatic.这种电池主要用于移动数码娱乐设备，并可以由厂商自主定义电池尺寸以减小设备体积，能量方面，Zinc Air Prismatic的能量密度是相同大小常规碱性或锂离子电池的3倍，可以说是电池行业的一次进步。
2008-12-17
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Tronics成立子公司TronicsMEMS 就近服务美国市场
据EE Times网站报道，法国MEMS元器件供应商Tronics Microsystems SA日前宣布在美国德州Richardson成立了子公司Tronics MEMS，为美国MEMS客户提供原型器件、认证及量产服务。
2008-12-17
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惠普等开发出柔性电子纸
美国惠普和美国亚利桑那大学（Arizona State University，亚历桑那州立大学）正式宣布，开发出了掉在地上也不会损坏的柔性电子纸。该电子纸为有源矩阵型，不过没有公开尺寸和分辨率等。
2008-12-16
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英特尔开发出突破性硅基APD
英特尔(Intel)周日宣布，他们在通往光计算机的道路上又迈出了坚实的一步。Intel在最新一期自然杂志上发表的文章宣称，公司已经使用硅材料创造了雪崩光电二极管（APD）的性能世界纪录，频率高达340GHz。
2008-12-11
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NEC东金将开始量产透磁率为100的无卤防噪音薄膜
NEC东金开发出提高了噪音抑制效果的无卤防噪音薄膜“Busteraid EFX”，将于2008年12月开始量产。该薄膜为将其贴于噪音源头及传播路径处即可抑制噪音的薄膜状部件，共备有厚度在50μm～1mm之间的6种产品。具有产生的反射波等副作用小、信号波形几乎不变等优点。面向手机、笔记本电脑以及数码相机等电子产品。
2008-12-10
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混乱的FPD市场促进企业推陈出新
“2008年第二季度各公司纷纷增产大尺寸液晶面板，结果导致第四季度不得不大幅减产。09年仍将持续这一状况，面板供应链的情况正在发生巨大变化。在这种混乱的状况下，通过变更生产线实现推陈出新的企业才能够生存”。日本Techno System Research的林秀介在该公司主办的“第三届TSR研讨会”上如是说。
2008-12-09
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EKX系列：Vishay最新高性能铝电容器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布推出新系列径向铝电容器--- EKX系列器件，这些器件可实现 +105°C 的高温运行，且具有低阻抗值以及高电容值及纹波电流。
2008-12-08
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明年夏普或将重登太阳能电池产量全球首位
法国调查公司Yole Developpement(以下简称Yole)的数据显示，2008年夏普排名全球太阳能电池生产能力的首位(《PV Fab Database 2008 IV日语版》)。然而，夏普的实际生产量在2007年被德国Q-Cells公司超过。2008年很有可能被中国的尚德电力(Suntech Power)赶超，从而下滑到第3位。其主要原因是多晶硅原料供应不足。
2008-12-08
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汽车电子行业未来两年可能出现“伤亡”
在日前于法国巴黎举行的国际汽车电子会议上，市场研究机构Strategy Analytics的分析师Ian Riches预测，汽车电子市场虽然可望持续成长，但在接下来的两年内恐怕也会出现“伤亡”。
2008-12-08
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Vishay推出采用TurboFET技术第三代功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出两款 20V 和两款 30V n 通道器件，从而扩展其第三代 TrenchFET 功率 MOSFET 系列。这些器件首次采用 TurboFET技术，利用新电荷平衡漏结构将栅极电荷降低多达 45%，从而大幅降低切换损耗及提高切换速度。
2008-12-05
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