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Vishay推出全新官方网站
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，发布经过重新设计的公司网站www.vishay.com，以便更好地服务客户、战略合作伙伴和其他用户。
2010-06-08
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Vishay推出6款用于消费电子的FRED Pt超快恢复整流器
日前，Vishay推出6款用于消费电子应用的FRED Pt超快恢复整流器。新的600V、8A器件在额定电流下具有1V的超低典型压降，在硬开关条件下的快速恢复时间只有16ns，在125℃下的典型泄漏电流低至30μA。
2010-05-31
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Vishay推出新款4线双向对称ESD保护阵列
Vishay推出新款4线VCUT05A4-05S-G-08双向对称(BiSy)ESD保护阵列，可保护PC和便携式消费电子产品中的USB 2.0等数据端口应用。
2010-05-26
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10011系列：Vishay通过新DSCC Drawing 10011认证的超高容值液钽电容器
Vishay宣布，推出通过新DSCC Drawing 10011认证的超高容值液钽电容器 --- 10011系列电容器，针对高可靠性应用提供玻璃至金属密封，具有72,000µF的高容值和低至0.035Ω的ESR。
2010-05-24
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Vishay帮助客户进一步了解Vishay Dale电阻技术的先进性
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，为帮助客户了解如何将Vishay Dale电阻技术用于定制产品，满足特定用户的需求，Vishay在其网站(http://www.vishay.com)新增加了一个介绍Power Metal Strip®分流电阻的流媒体视频。
2010-05-10
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Si7625DN：Vishay推出30V P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET
日前，Vishay推出首款采用PowerPAK® 1212-8封装的30V P沟道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- Si7625DN，用于笔记本电脑、上网本和工业/通用系统中的适配器、负载和电池开关，该器件的导通电阻是最低的还可以减小电压降。
2010-05-07
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CWR06/16：Vishay新款TANTAMOUNT固态钽电容可满足宇航级应用
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其CWR06和CWR16 TANTAMOUNT®固态钽电容器现可满足MIL-PRF-55365为宇航级应用制定的“T”-level要求。
2010-05-04
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Si8499DB：Vishay推出P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用芯片级MICRO FOOT®封装的P沟道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- Si8499DB。在1.5mmx1mm的占位面积内，这款20V器件提供业内P沟道MOSFET最低的导通电阻。
2010-04-29
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IHLP-1212BZ-11：Vishay推出其最小的IHLP器件
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用1212外形尺寸的新款IHLP®小尺寸、高电流电感器 --- IHLP-1212BZ-11。IHLP-1212BZ-11是迄今为止Vishay最小的IHLP器件，具有3.0mm x 3.6mm的占位、2.0mm的超小尺寸以及0.22µH至1.5µH的标准感值，其最高频率可达1.0MHz。
2010-04-26
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适用在极端恶劣环境下的新款薄膜贴片电阻
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出为钻井和航空等极端高温环境优化的新系列打线式、裸芯片贴片式电阻 --- Vishay Sfernice RMKHT和电阻网络。
2010-04-19
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SiA975DJ：Vishay 推出新款双路12V P沟道功率MOSFET
Vishay 近日宣布推出新款双路12V P沟道TrenchFET功率MOSFET——SiA975DJ。新器件具有迄今为止双路P沟道器件中最低的导通电阻，采用2mm x 2mm占位面积的热增强型PowerPAK SC-70封装。
2010-04-15
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Vishay为MC AT薄膜电阻增加了新的外形尺寸和精度版本
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用0402、0603、0805和1206外形尺寸的电阻器件，扩充了MC AT系列专用薄膜贴片式电阻。此外，该系列中具有更低TCR和容差的新款精密版本也已经发布了。
2010-04-14
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