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3RG7 BERO:西门子光电式传感器
光电式传感器非接触地探测物体，广泛用于许多自动化领域，如管理系统、机械制造、包装工业等。 西门子为这些不同的应用领域提供了极大范围的产品，从直径只有4 mm、可探测距离50mm的BERO微型接近开关到传输距离达25 m耐用方形K80传感器，再到极精密的BERO激光传感器，传输距离达50 m。
2009-10-27
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基于MOSFET内部结构设计优化的驱动电路
功率MOSFET具有开关速度快，导通电阻小等优点，因此在开关电源，马达控制等电子系统中的应用越来越广。通常在实际的设计过程中，电子工程师对其的驱动电路以及驱动电路的参数调整并不是十分关注，尤其是从来没有基于MOSFET内部的微观结构去考虑驱动电路的设计，导致在实际的应用中，MOSFET产生一定的失效率。本文将讨论这些细节的问题，从而优化MOSFET的驱动性能，提高整个系统的可靠性。
2009-10-26
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理解功率MOSFET的开关损耗
本文先分别介绍了功率MOSFET的Ciss，Coss，Crss及相对应的Qg，Qds和Qgs在开关过程中对开关损耗的影响。基于在理想状态下，用工程简化方式计算出MOSFET在开关过程中不同阶段的开关损耗，并分析出Crss及相对应的Qgd对于MOSFET管的开关损耗起主导作用。然后，论述了在实际状态下，Coss对开通和关断过程的影响，由此得出：用工程简化方式计算的开关损耗的值与实际状态下开关损耗的结果基本是一致的。最后阐述了功率MOSFET管自然零电压关断的过程。
2009-10-26
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使用自钳位MOSFET设计电动工具控制器
本文介绍了电动工具控制器的工作原理，详细的分析了电动工具中MOSFET的功率损耗以及线路引线电感对MOSFET开关波形的影响，同时，介绍了自钳位MOSFET的工作特性以及在设计电动工具驱动电路时应注意的问题，并给出了使用自钳位MOSFET设计的电动工具控制器的工作波形和测试结果。
2009-10-26
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降压转换器电流取样电阻三种位置的选择
本文介绍了电流模式降压转换器的电流取样电阻放置的三种位置，即输入端、输出端及续流管，同时详细地说明了这三种位置各自的优点及缺点，还阐述了由此而产生的峰值电流模式和谷点电流模式的工作原理，以及它们各自的工作特性。本文也给出了使用高端主开关管导通电阻、低端同步开关管导通电阻，以及电感DCR作为电流取样电阻时，设计应该注意的问题。
2009-10-26
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磁珠及其在开关电源中的应用
近年来，由于电磁兼容的迫切要求，铁氧体磁珠得到了广泛的应用，尤其是片式铁氧体磁珠。在各种现代电子产品中，为了达到电磁兼容的要求，几乎都采用了这类元件。但值得注意的是，这类元件品种繁多，性能各异，不像阻容元件那样的系列化、标准化，本文全面的须介绍各种铁氧体磁珠的特性以及应用
2009-10-26
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基于漏极导通区特性理解MOSFET开关过程
本文先介绍了基于功率MOSFET的栅极电荷特性的开关过程；然后介绍了一种更直观明析的理解功率MOSFET开关过程的方法：基于功率MOSFET的导通区特性的开关过程，并详细阐述了其开关过程。开关过程中，功率MOSFET动态的经过是关断区、恒流区和可变电阻区的过程。在跨越恒流区时，功率MOSFET漏极的电流和栅极电压以跨导为正比例系列，线性增加。米勒平台区对应着最大的负载电流。可变电阻区功率MOSFET漏极减小到额定的值。
2009-10-26
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DC-DC电源驱动PA提高WCDMA手机发送效率
MAX1820开关模式电源经过优化，能够提高W-CDMA手机的发送效率。通过极大地降低功率放大器(PA)的VCC，大大减小了最大发送功率以下各个功率对应的电池电流。针对该应用，对MAX1820的设计进行了单独的优化。
2009-10-22
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STGW30N120KD/STGW40N120KD：低开关损耗1200V IGBT系列产品
日前，意法半导体（ST）推出新系列功率晶体管，可最大限度降低电机控制电路的两大能耗源，降低家电、供暖通风空调（HVAC）系统、工业机床等日用设备对环境的影响。STGW30N120KD和STGW40N120KD是两款导通损耗很低的绝缘栅双极晶体管（IGBT），可降低开关损耗。
2009-10-21
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未来的汽车电子发展趋势解析
汽车电子正朝着网络化和智能化的方向发展，电子控制装置将通过CAN总线提供稳定、可靠的低成本网络连接；电机、开关、传感器和车灯等则通过本地互连网络（LIN）进行网络连接。
2009-10-20
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磁性元件在机顶盒电源中的应用
顶盒中开关电源变压器被视做机顶盒电源的心脏，主要功能是功率传送、电压变换和绝缘隔离。本文主要介绍机顶盒电源中的电磁干扰和防护
2009-10-13
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FDFME3N311ZT：飞兆半导体实现高效率的升压开关
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 全新的升压开关产品FDFME3N311ZT，有助提高手机、医疗、便携和消费应用设计的升压转换电路效率。该器件结合了30V集成式N沟道PowerTrench® MOSFET和肖特基二极管，具有极低的输入电容 (典型值55pF) 和总体栅极电荷 (1nC)，以提升DC-DC升压设计的效率。
2009-10-12
- 噪声中提取真值！瑞盟科技推出MSA2240电流检测芯片赋能多元高端测量场景
- 10MHz高频运行！氮矽科技发布集成驱动GaN芯片，助力电源能效再攀新高
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